[发明专利]单层碳纳米管以及取向单层碳纳米管块结构体以及它们的制造方法、装置以及用途有效
| 申请号： | 201010241548.7 | 申请日： | 2005-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101913591A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 畠贤治;饭岛澄男;汤村守雄;D·N·弗塔巴 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01B31/00 | 分类号： | C01B31/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 于巧玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 单层 纳米 以及 取向 结构 它们 制造 方法 装置 用途 | ||
1.单层碳纳米管，其特征在于，具备比表面积在800～2500m2/g，以及利用荧光X射线测定的纯度在98％以上。
2.权利要求1记载的单层碳纳米管，其特征在于，前述单层碳纳米管具有的中心尺寸为1～4nm。
3.权利要求1记载的单层碳纳米管，其特征在于，前述单层碳纳米管具有的中心尺寸为1.5～4nm。
4.权利要求1到3的任一项记载的单层碳纳米管，其特征在于，前述单层碳纳米管具有比表面积在800～1300m2/g，是未开口的。
5.权利要求1到3的任一项记载的单层碳纳米管，其特征在于，前述单层碳纳米管具有比表面积在1600～2500m2/g，是开口的。
6.单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，具备下述工序：
控制金属催化剂的厚度，将该金属催化剂设计在基板上的工序，和
在反应气氛气体中，使用碳化合物作为碳源，并且在反应气氛中添加水蒸汽、氧、臭氧、或者低级醇、一氧化碳、二氧化碳等低碳数的含氧化合物，或者它们的混合气体，由前述金属催化剂进行气相成长法，生成以规定方向取向的比表面积在800～2500m2/g的碳纳米管的工序。
7.权利要求6记载的单层碳纳米管的制造方法，其特征在于，前述气相成长时的温度为，其下限值设在利用氧化剂能除去使催化剂失活的副产品的温度，上限值设在碳纳米管通过前述氧化剂不被氧化的温度。
8.单层碳纳米管精制物，是将权利要求6或7记载的单层碳纳米管的制造方法制作的单层碳纳米管从前述基板剥离得到的。
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