[发明专利]一种ZnO薄膜晶体管的修饰及制备方法有效
| 申请号： | 201010238835.2 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102339756A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 于爱芳;江鹏;郜展;李宏宇;唐浩颖 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 zno 薄膜晶体管 修饰 制备 方法 | ||
1.一种ZnO薄膜晶体管的修饰方法，包括以下步骤：
1)配制ZnO前驱体溶液；
2)把所述ZnO薄膜晶体管悬浮于该溶液中，再放入烘箱中反应，以在所述ZnO薄膜上生长一层ZnO修饰层，其中所述烘箱中的反应温度为75℃～90℃。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应温度为80℃～85℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述ZnO前躯体溶液由六水合硝酸锌和六次甲基四胺配制而成，其中六水合硝酸锌的摩尔浓度为10mM～100mM，六次甲基四胺浓度为10mM～100mM。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述六水合硝酸锌和所述六次甲基四胺的摩尔浓度比为1∶1至1.5∶1。
5.一种制备ZnO薄膜晶体管的方法，包括以下步骤：
1)在衬底上依次制备栅电极、介电层、ZnO薄膜；
2)在ZnO薄膜上制备源漏电极；和
3)采用权利要求1所述的修饰方法对步骤2)所得薄膜晶体管进行修饰，以在所述ZnO薄膜上生长ZnO修饰层。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤3)包括：先配制ZnO前驱体溶液，然后把步骤2)的晶体管悬浮于该溶液中，放入烘箱中反应，其中所述烘箱中的反应温度为75℃～90℃。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述ZnO前躯体溶液的溶质为六水合硝酸锌和六次甲基四胺，其中六水合硝酸锌的浓度为10mM～100mM，六次甲基四胺浓度为10mM～100mM。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述六水合硝酸锌和所述六次甲基四胺的摩尔浓度比为1∶1至1.5∶1。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述反应温度为80℃～85℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
