[发明专利]一种N型背接触电池

说明书

技术领域

本发明涉及硅晶体太阳能电池技术领域，尤其是一种N型背接触电池。

背景技术

硅晶体太阳能电池有P型电池、N型电池，相对于P型电池，N型硅电池具有光照衰减的效率损失小的优点，而且更耐金属杂质的污染。现有的高效背接触电池基本都是采用N型衬底。但是现有的N型背接触电池的电池效率较低，制作工艺较复杂，生产成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种N型背接触电池，其电池效率较高，制作工艺简单，生产成本较低。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种N型背接触电池，所述的电池为N型硅晶体太阳能电池，所述的电池背面负电极为Ag电极，电池背面正电极为Al电极，Ag电极由一条以上纵向Ag主栅线、两条以上横向Ag细栅线组成，各条Ag细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Ag细栅线的宽度为40～120um，Al电极由一条以上纵向Al主栅线、两条以上横向Al细栅线组成，各条Al细栅线之间的中心间距为1.6～2.5mm，每条Al细栅线的宽度为1.3～2.3mm。

进一步地，所述的电池正面具有70～90nm厚、折射率为1.6～2.6的正面SiNx层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻为50～900hm/sq的正面N+层，所述的电池背面具有扩散方块电阻为50～900hm/sq的背面N+层以及50～1000nm厚的热氧化SiO₂层，热氧化SiO₂层下方为50～90nm厚、折射率为1.6～2.6的背面SiNx层。制作上述N型背接触电池的制作工艺为：1、硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2、热氧化处理生成热氧化硅；3、单面去除热氧化硅；4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5、双面POCl₃扩散，正背面扩散方块电阻为50～900hm/sq；6、去除PSG层；7、印刷Al浆并烘干；8、印刷Ag浆并烘干；9、烧结。

进一步地，所述的电池正面具有70～90nm厚、折射率为1.6～2.6的正面SiNx层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻为80～1200hm/sq的正面N+层，所述的电池背面具有扩散方块电阻为50～900hm/sq的背面N+层以及50～1000nm厚的热氧化SiO₂层，热氧化SiO₂层下方为50～90nm厚、折射率为1.6～2.6的背面SiNx层。制作上述N型背接触电池的制作工艺为：1、硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2、热氧化处理生成热氧化硅；3、单面去除热氧化硅；4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5、双面POCl₃扩散，正背面扩散方块电阻为50～900hm/sq；6、去除PSG层；7、正面刻蚀成扩散方块电阻为80～1200hm/sq；8、印刷Al浆并烘干；9、印刷Ag浆并烘干；10、烧结。

本发明的有益效果是：本发明采用新型的电池背面电极印刷图案，采用Al、Ag作为背面正、负电极，具有新型的结构，使得本发明的电池效率较高，可达到17％，并且制作工艺简单，生产成本也较低。

附图说明

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1是本发明的实施例一的背面电极示意图；

图2是本发明的实施例二的背面电极示意图；

图3是本发明的实施例二的截面剖视图。

其中：1.Ag主栅线，2.Ag细栅线，3.Al主栅线，4.Al细栅线，5.正面SiNx层，6.正面N+层，7.背面N+层，8.热氧化SiO₂层，9.背面SiNx层。

具体实施方式

实施例一：如图1所示的一种N型背接触电池，规格为普通的八边125硅单晶电池，采用如下工艺步骤制作：1、硅片清洗，去除损伤层，表面制绒；2、1000℃热氧化处理生成热氧化硅；3、单面去除热氧化硅；4、背面印刷刻蚀性浆料选择性去除氧化硅；5、840℃双面POCl₃扩散20min，生成扩散方块电阻为600hm/sq的正背表面扩散层；6、去除PSG层后，正面SiNx层、背面SiNx层均为80nm厚；7、印刷Al浆并烘干；8、印刷Ag浆并烘干；9、760℃烧结。制作出的电池正面具有80nm厚的正面SiNx层以及在正面SiNx层下方扩散方块电阻为600hm/sq的正面N+层，电池背面具有扩散方块电阻为600hm/sq的背面N+层以及50～1000nm厚的热氧化SiO₂层，热氧化SiO₂层下方为80nm厚的背面SiNx层。