[发明专利]发光二极管封装结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201010238142.3 | 申请日： | 2010-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102339940A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 沈佳辉;洪梓健;曾坚信 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管封装结构，其包括基板、发光结构、封装胶及电路结构，所述基板包括一第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其特征在于，所述发光结构生长于所述第一表面上，所述封装胶形成于所述第一表面上并覆盖所述发光结构，所述电路结构形成于所述基板的第二表面上，并与所述发光结构电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一表面上形成有一第一凹槽，所述发光结构生长于该第一凹槽的底壁上，且所述封装胶填充在第一凹槽中。
3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一凹槽为一台阶状凹槽，其包括第一容置部及第二容置部，所述第一容置部与第二容置部之间形成有一台阶面，该台阶面与所述第一表面基本平行。
4.如权利要求3所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述电路结构包括一第一电极及一第二电极；所述基板的第二表面上形成有一从所述第二表面延伸到第一凹槽的底壁的第二凹槽，及一贯穿所述第二表面及所述台阶面的通孔；所述第一电极通过位于所述通孔的一导电柱与发光结构打线连接，所述第二电极穿过所述第二凹槽与发光结构电连接。
5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构，其特征在于：所述第一电极和第二电极采用导热导电材料制成。
6.一种发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：
提供一基板，该基板包括一第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；
在所述第一表面上生长发光结构；
在所述第二表面上形成电路结构，并将该电路结构与所述发光结构电连接；及
在所述第一表面上形成一封装胶覆盖所述发光结构。
7.如权利要求6所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一表面上形成有一第一凹槽，所述发光结构生长于该第一凹槽的底壁上，且所述封装胶填充在第一凹槽中。
8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一凹槽为一台阶状凹槽，其包括第一容置部及第二容置部，所述第一容置部与第二容置部之间形成有一台阶面，该台阶面与所述第一表面基本平行；所述电路结构包括一第一电极及一第二电极；所述基板的第二表面上形成有一从所述第二表面延伸到第一凹槽的底壁的第二凹槽，及一贯穿所述第二表面及所述台阶面的通孔；所述第一电极通过位于所述通孔的一导电柱与发光结构打线连接，所述第二电极穿过所述第二凹槽与发光结构电连接。
9.如权利要求8所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述第一电极和第二电极采用导热导电材料制成。
10.如权利要求7所述的发光二极管封装结构的制造方法，其特征在于：所述基板为硅基板，在生长发光结构前，先对第一凹槽的底壁进行碳化形成一碳化硅层。
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