[发明专利]一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法无效

专利信息
申请号: 201010237835.0 申请日: 2010-07-23
公开(公告)号: CN101905122A 公开(公告)日: 2010-12-08
发明(设计)人: 张国俊;李杰;纪树兰 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: B01D71/06 分类号: B01D71/06;B01D69/12;B01D67/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 沈波
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 负载 无机 纳米 粒子 有机 组装 方法
【权利要求书】:

1.一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,该方法包括以下步骤:

(1)将聚阳离子溶解在溶剂中,配制成制膜液,静置脱泡;在聚阳离子溶液中加入两性氧化物纳米粒子,调节pH值至碱性,使两性氧化物纳米粒子荷负电,并使加入的两性氧化物纳米粒子的负电荷总数低于聚阳离子正电荷总数,从而形成聚阳离子纳米粒子包络体溶液;将聚阴离子溶解在溶剂中,配制成制膜液,静置脱泡;在聚阴离子溶液中加入两性氧化物纳米粒子,调节pH值至酸性,使两性氧化物纳米粒子荷正电,并使加入的两性氧化物纳米粒子的正电荷总数低于聚阴离子负电荷总数,从而形成聚阴离子纳米粒子包络体溶液;

(2)分别将步骤(1)中加入了两性氧化物纳米粒子的聚离子溶液超声30~120分钟,使纳米粒子均匀分散后,离心1~60分钟,离心后将上清液换成与上清液中溶剂相同的等体积的溶剂;

(3)重复(2)步骤1~10次,制得聚离子纳米粒子包络体溶液;

(4)使基片或基膜荷正电或负电,并将基片浸泡在步骤(3)中聚阴离子纳米粒子包络体溶液或聚阳离子纳米粒子包络体溶液中10~60分钟,使聚阴离子纳米粒子包络体或聚阳离子纳米粒子包络体吸附在基片表面,形成薄膜层;

或者使基膜荷正电或负电,并在0.01~3.0Mpa压力或-0.02~-0.09MPa的负压作用下,将聚阴离子纳米粒子溶液或聚阳离子纳米粒子溶液在基膜表面动态过滤10~60分钟,使聚阴离子纳米粒子包络体或聚阳离子纳米粒子包络体在膜表面或孔内被截留,形成分离层;

(5)将步骤(4)基片或基膜浸泡在去离子水中,漂洗膜面并吹干;

(6)将步骤(5)基片浸泡在步骤(3)中聚阳离子纳米粒子包络体溶液或聚阴离子纳米粒子包络体溶液10~60分钟,使聚阴离子纳米粒子包络体与聚阳离子纳米子粒子包络体发生反应;

或者将步骤(5)基膜在0.01~3.0Mpa压力或-0.02~-0.09MPa的负压作用下,将步骤(3)中聚阳离子纳米粒子包络体溶液或聚阴离子纳米粒子包络体溶液在基膜表面动态过滤10~60分钟,聚阴离子纳米粒子包络体与聚阳离子纳米粒子包络体发生反应;

(7)将步骤(6)的基片或基膜浸泡在去离子水中,漂洗膜面并烘干;

(8)重复(4)~(7)步骤1-100次;

(9)步骤(8)的基片形成无机纳米粒子杂化有机薄膜或者步骤(8)的基膜形成无机纳米粒子杂化有机渗透汽化膜。

2.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述的两性氧化物纳米粒子为二氧化锆、三氧化二铝、二氧化锰、氧化锌、三氧化二铬或氧化铍,粒径为1~100纳米。

3.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述的溶剂是水、甲醇、乙醇、丙醇或丁醇。

4.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述的基片为刚性基底。

5.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述聚阳离子材料为聚二烯丙基二甲基氯化铵、聚乙烯亚胺、聚烯丙基胺盐酸盐、聚4-乙烯基吡啶、甲壳素,聚阴离子材料为聚苯乙烯磺酸钠、聚丙烯酸、聚磺化乙烯。

6.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述的基膜,为微滤膜、超滤膜或纳滤膜,

7.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述的基膜材料为有机聚合物。

8.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,基膜的组件形式为管式膜、中空纤维膜、平板膜或卷式膜。

9.权利要求1的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述的基膜的膜孔径为1纳米到100微米之间。

10.权利要求7的一种高负载无机纳米粒子杂化有机膜的自组装方法,其特征在于,所述有机聚合物基膜材料为聚丙烯腈、聚砜、聚醚砜、聚偏氟乙烯、聚碳酸酯、聚乙烯、聚四氟乙烯或壳聚糖。

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