[发明专利]一种高Q值微波介质陶瓷及其制备方法无效
申请号: | 201010237748.5 | 申请日: | 2010-07-23 |
公开(公告)号: | CN101967058A | 公开(公告)日: | 2011-02-09 |
发明(设计)人: | 张迎春;付宝建;杨秀敏 | 申请(专利权)人: | 黑龙江科技学院;北京科技大学 |
主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
代理公司: | 北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 | 代理人: | 刘淑芬 |
地址: | 150027 黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种以氧化物为基础的以成分为特征的陶瓷化合物,更确切的说,是关于一种以铌酸镁(MgNb2O6)和钽酸锌(ZnTa2O6)复合的陶瓷化合物及其制备方法,属于材料科学技术领域。
背景技术
微波介质陶瓷是指应用于微波频段(300MHz~3000GHz)电路中作为介质材料完成一种或多种功能的陶瓷,是微波器件的核心材料。近二十年来,由于微波技术设备向小型化、集成化与高频化,尤其是向民用产品的大产量、低价格方向的迅速发展,目前已开发出了一大批适用于微波频段的微波介质陶瓷材料。应用于微波电路的介质陶瓷,应满足如下介电特征的要求:(1)高的相对介电常数εr以减小器件的尺寸,一般要求εr≥20;(2)高的品质因数Q以降低噪音,一般要求Q×f≥3000;(3)接近零的频率温度系数τf以保证器件的温度稳定性。根据微波材料的性能,微波介质陶瓷可分为三类:(1)高介电常数低Q值的微波介质陶瓷,主要应用于对微型化要求较高的手持移动通讯设备;(2)高Q值低介电常数微波介质陶瓷,主要应用于毫米波通讯以及微波电路基板。(3)高Q值近零谐振频率温度系数的微波介质陶瓷,用于对信息的传输量和精度要求较高的卫星以及地面通讯的基站。MgNb2O6和ZnTa2O6都具有优异的微波介电性能。如《日本应用物理》杂志(Japanese journal of applied physics)在1997年发表了一篇题为《微波频率下AB2O6化合物的介电性能(A=Ca,Mg,Mn,Co,Ni,Zn,以及B=Nb,Ta)》(Dielectric Properties of AB2O6 Compounds at MicrowaveFrequencies(A=Ca,Mg,Mn,Co,Ni,Zn,and B=Nb,Ta))(Japanese journalof applied physics,vol.36,issue Part 2,No.10A,PP.L1318-L1320)中报道了1300℃烧成2小时的MgNb2O6的微波介电性能为εr=21.4,τf=-70,Qf=93800GHz。《合金及化合物》杂志(Journal of Alloys and Compounds)在2002年的一篇文章《微结构对ZnTa2O6低介电损耗陶瓷微波介电性能的影响》(Influence of microstructure on microwave dielectric properties ofZnTa2O6 ceramics with low dielectric loss)(Journal of Alloys andCompounds,vol.337,issue 1-2,pp.303-308)报道了1400℃烧成2小时的ZnTa2O6介电性能为εr=32.3,τf=9.5,Qf=67580GHz。这两种微波介质陶瓷都具有较高的品质因数,为了得到谐振频率温度系数可调而又具有较高Q值的微波介质陶瓷材料,常用的方法就是把两种具有相反谐振频率温度系数的陶瓷进行复合。
目前尚未见到将MgNb2O6与ZnTa2O6复合成高Q值近频率温度系数可调微波介质陶瓷的报道。
发明内容
本发明目的是克服单独的铌酸镁和或酸锌微波介质陶瓷频率温度系数不可调缺点,通过两者的复合获得一种频率温度系数可调、具有较高品质因子的微波介质陶瓷,同时提供了铌酸镁和钽酸锌复合微波介质陶瓷的组成配方和制造该介质陶瓷产品的方法。
本发明通过下列方案予以实现。
一种高Q值微波介质陶瓷,其特征是由铌酸镁(MgNb2O6)和钽酸锌(ZnTa2O6)组成。
按重量百分比,其中:
铌酸镁 2.5%~12.5%;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于黑龙江科技学院;北京科技大学,未经黑龙江科技学院;北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010237748.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。