[发明专利]无载具的半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种无载具的半导体封装件的制造方法，包括：

制备一具有相对的第一表面及第二表面的金属载板，使该金属载板的第一表面具有相对的凹槽及金属块；

于该凹槽中填充第一胶体，并外露出该金属块上表面；

于该金属块上形成一连接垫，并使该连接垫与该金属块电性耦合；

将半导体芯片电性连接至该金属块上的连接垫；

于该金属载板第一表面上形成包覆该半导体芯片及连接垫的第二胶体；以及

移除该金属载板第二表面的金属载板部分，以外露出该金属块及第一胶体下表面。

2.根据权利要求1所述的无载具的半导体封装件的制造方法，还包括于该金属块下表面植设焊球及进行切单作业。

3.根据权利要求1所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该具有凹槽及金属块的金属载板的制造方法包括：

提供一金属载板，该金属载板具有相对的第一表面及第二表面，以在该金属载板第一表面上形成图案化的第一阻层，并于该金属载板第二表面上覆盖第二阻层；以及

利用半蚀刻工艺移除未被该第一阻层覆盖的部分金属载板，从而在该金属载板第一表面形成多个凹槽及相对的金属块。

4.根据权利要求1所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该第一胶体选自封装化合物或焊料阻层。

5.根据权利要求1所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该连接垫包括金属层及覆盖于该金属层上的抗氧化层。

6.根据权利要求5所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该金属层为铜层。

7.根据权利要求5所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该抗氧化层为银层或有机可焊保护膜。

8.根据权利要求1所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该连接垫的制造方法包括：

在该第一胶体及金属块上表面形成导电层；

于该导电层上覆盖第三阻层，并令该第三阻层形成有多个开口，其中，该开口位置对应该金属块位置，且该开口面积大于对应的金属块的截面积；

于该第三阻层开口中形成金属层，再于该金属层上覆盖抗氧化层，以构成连接垫；以及

移除该第三阻层及被该第三阻层所覆盖的导电层。

9.根据权利要求1所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该连接垫的制造方法包括：

在该第一胶体及金属块上表面形成导电层；

于该导电层上覆盖第三阻层，并令该第三阻层形成有多个开口，其中，该开口位置对应该金属块位置，且该开口面积大于对应的金属块的截面积；

于该第三阻层开口中形成一金属层；

移除该第三阻层及被该第三阻层所覆盖的导电层；以及

于该金属层上覆盖抗氧化层，以构成连接垫。

10.根据权利要求8或9所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该连接垫的制造方法还包括在形成导电层之前，于该第一胶体及金属块上表面形成外露该金属块的缓冲层。

11.根据权利要求10所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该缓冲层的材质为苯并环丁烯或聚酰亚胺。

12.根据权利要求1所述的无载具的半导体封装件的制造方法，其特征在于，该连接垫的平面尺寸大于金属块的截面积，使该连接垫及金属块构成T型结构。

13.一种无载具的半导体封装件的制造方法，包括：

制备一具有相对的第一表面及第二表面的金属载板，使该金属载板第一表面具有相对的凹槽及金属块；

于该凹槽中填充第一胶体，并外露出该金属块上表面；

于该金属块上形成一连接垫，并使该连接垫与该金属块电性耦合；

于该第一胶体及连接垫上形成第二胶体，且该第二胶体外露各该连接垫的部分；

于该第二胶体及外露的部分连接垫上形成增层迹线；

于该增层迹线终端覆盖镀层；

将半导体芯片电性连接至该增层迹线上的镀层；

于该第二胶体上形成包覆该半导体芯片及该增层迹线的第三胶体；以及

移除该金属载板第二表面的部分金属载板，以外露出该金属块及第一胶体下表面。