[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池的制造方法

权利要求书

1.一种碲化镉薄膜太阳电池的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

(1)采用金属板作为碲化镉薄膜太阳电池的背电极，用丝网印刷方法在金属板上涂覆p型碲化镉浆料，制作p型碲化镉膜层；

(2)在p型碲化镉膜层上制备中间过渡层和n型硫化镉窗口层，形成p-n结；

(3)在窗口层硫化镉膜层上蒸镀或印刷梳状前电极；焊接和连线前后电极完成碲化镉薄膜太阳电池的制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)中p型碲化镉浆料包括碲化镉和碲的混合物，所述碲化镉和碲的重量比为100∶1。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述p型碲化镉浆料的配制方法包括将碲化镉粉和碲粉按重量比100∶1的比例混合，并采用球磨方法混合6-8小时；然后采用无水乙醇/二甲基甲酰胺溶液(或极性溶液)将碲化镉和碲混合粉末调和成浆料，搅拌至混合均匀的步骤。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述p型碲化镉浆料经过在金属板上涂覆，在退火炉中经过焙烧清除在p型碲化镉薄膜层中的乙醇或二甲基甲酰胺溶液分子。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)中金属板选自铜板、不锈钢板，所述金属板的厚度在0.05mm以上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)中还包括用丝网印刷方法在金属板上涂覆p型碲化镉浆料后将涂有浆料的金属板放置到退火炉中，在保护气氛中进行退火处理，退火温度控制在600℃退火30～60分钟，然后升温至800～900℃维持1～2小时。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述保护气氛为在惰性气体或氮气存在的情况下。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中所述中间过渡层为碲化镉纳米层，所述碲化镉纳米层采用真空蒸发的方法在碲化镉p型膜层上蒸镀形成。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)中所述n型硫化镉窗口层为采用真空镀膜的方法蒸发形成的硫化镉层，所述硫化镉层的厚度控制在200-250纳米。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(2)形成p-n结后需对p-n结退火处理，退火温度控制在750～790℃，退火时间控制在1～2小时。