[发明专利]光发射装置与使用该装置的发光二极管印表头无效

专利信息
申请号: 201010232985.2 申请日: 2010-07-21
公开(公告)号: CN102336067A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 吴明哲 申请(专利权)人: 环旭电子股份有限公司
主分类号: B41J2/45 分类号: B41J2/45
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 薛琦;朱水平
地址: 201203 上海市张江高*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 发射 装置 使用 发光二极管 表头
【权利要求书】:

1.一种光发射装置,其特征在于,该光发射装置包括:

一印刷电路板;

一第一反射结构,设置在该印刷电路板上,该第一反射结构具有一第一反射面;

一第二反射结构,设置在该印刷电路板上,该第二反射结构具有一第二反射面;

一透镜阵列,设置在该印刷电路板上,该透镜阵列位于该第一反射面与该第二反射面之间;

至少一光源,设置在该印刷电路板上并位于该第一反射面与该透镜阵列之间;以及

一上壳体,设置在该第一反射结构、该透镜阵列及该第二反射结构上,该上壳体具有一透光区,该透光区的位置对应于该第二反射面。

2.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于,该第一反射面反射该光源所发出的光线,该透镜阵列将该第一反射面所反射的光线引导至该第二反射面,该第二反射面所反射的光线则通过该透光区。

3.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于,该些光源位于该第一反射面在该印刷电路板的一正投影区域中。

4.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于,该透光区位于该第二反射面在该上壳体的一正投影区域中。

5.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于,该第一反射结构及该第二反射结构均为硅光学平台。

6.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于,该第一反射面与该印刷电路板的夹角实质上为45度,且该第二反射面与该第一反射面平行。

7.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于,该些光源包括至少一发光二极管阵列。

8.如权利要求1所述的光发射装置,其特征在于,该透镜阵列为一自聚焦透镜阵列。

9.一种发光二极管印表头,其特征在于,该发光二极管印表头包括:

一壳体;以及

至少一光发射装置,设置于该壳体中,其中每个该光发射装置包括:

一印刷电路板;

一第一反射结构,设置在该印刷电路板上,该第一反射结构具有一第一反射面;

一第二反射结构,设置在该印刷电路板上,该第二反射结构具有一第二反射面;

一透镜阵列,设置在该印刷电路板上并位于该第一反射面与该第二反射面之间;

一发光二极管阵列,设置在该印刷电路板上并位于该第一反射面与该透镜阵列之间;以及

一上壳体,设置在该第一反射结构、该第二反射结构及该透镜阵列上,该上壳体具有一透光区,该透光区对应于该第二反射面。

10.如权利要求9所述的发光二极管印表头,其特征在于,该第一反射面与该印刷电路板的夹角实质上为45度,且该第一反射面与该第二反射面平行。

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