[发明专利]可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场无效

专利信息
申请号: 201010232685.4 申请日: 2010-07-19
公开(公告)号: CN101914808A 公开(公告)日: 2010-12-15
发明(设计)人: 张志强;黄振飞;黄强;袁为进 申请(专利权)人: 常州天合光能有限公司
主分类号: C30B15/14 分类号: C30B15/14;C30B29/06
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213031 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 消除 挥发 外侧 沉积 单晶炉热场
【权利要求书】:

1.一种可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场,包括炉腔(1)、炉腔(1)内具有保温筒(2)、热屏装置和坩埚(3),保温筒(2)包围在坩埚(1)外侧,热屏装置盖设在保温筒(2)上形成封闭式热场,通入炉腔(1)上部的保护气体通过热屏装置向下进入坩埚(3),然后通过热屏装置与坩埚(3)之间的间隙向上流动进入热屏装置与保温筒(2)所围形成的保温腔,其特征是:在所述的热屏装置上开设导气孔(4),保护气体直接通过导气孔(4)进入保温腔上部,导气孔(4)的两端开口高于坩埚(3)上沿。

2.根据权利要求1所述的可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场,其特征是:所述的热屏装置包括热屏支撑板(5)和架设在热屏支撑板(5)上的热屏(6),导气孔(4)设置在热屏(6)上。

3.根据权利要求2所述的可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场,其特征是:所述的导气孔(4)位于热屏(6)的上部,并且沿热屏(6)圆周均匀分布,所有导气孔(4)与热屏(6)上沿的距离相等。

4.根据权利要求2或3所述的可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场,其特征是:所述的导气孔(4)与热屏(6)上沿的距离为30~50mm;导气孔(4)为圆形或多边形,流通面积为20-50mm2;导气孔(4)的个数为6~36个。

5.根据权利要求1所述的可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场,其特征是:所述的热屏装置包括热屏支撑板(5)和架设在热屏支撑板(5)上的热屏(6),导气孔(4)设置在热屏支撑板(5)上。

6.根据权利要求5所述的可消除挥发份在热屏外侧沉积的单晶炉热场,其特征是:所述的导气孔(4)沿热屏支撑板(5)圆周均匀分布。

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