[发明专利]铌酸锂晶片碱性CMP后的表面洁净方法

权利要求书

1.一种铌酸锂晶片碱性CMP后表面清洁方法，其特征是，按照以下步骤进行(重量wt％)：

(1)制备水抛液：取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂和阻蚀剂，活性剂的加入量为5-30g/L，螯合剂的加入量为5-30g/L，阻蚀剂的加入量为5-30g/L；

(2)铌酸锂晶片碱性CMP后使用上述水抛液采用1000g/min-4000g/min的流量进行水抛清洁，水抛时间为30-60s。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂晶片碱性CMP后表面清洁方法，其特征在于：所述步骤(1)的活性剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售FA/O表面活性剂、Oπ-7((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₇-H)、Oπ-10((C₁₀H₂₁-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₁₀-H)、O-20(C_12-18H_25-37-C₆H₄-O-CH₂CH₂O)₇₀-H)或JFC的一种。

3.根据权利要求1所述的铌酸锂晶片碱性CMP后表面清洁方法，其特征在于：所述步骤(1)螯合剂为天津晶岭微电子材料有限公司市售FA/O螯合剂。

4.根据权利要求1所述的铌酸锂晶片碱性CMP后表面清洁方法，其特征在于：所述步骤(1)的阻蚀剂为是六次甲基四胺或苯丙三氮唑。