[发明专利]极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法

权利要求书

1.一种极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

(1)使用电阻为18MΩ的超纯水对密闭反应釜及进料管道清洗至少三次，使清洗后废液的电阻不低于16MΩ；所述密闭反应釜为聚丙烯、聚乙烯、聚甲基丙烯酸甲脂中的任一种；

(2)将质量百分比浓度为50％、粒径为15-25nm、莫氏硬度7的SiO₂溶胶通过步骤(1)清洗过的进料管道加入到步骤(1)已清洗过的密闭的反应釜中，对密闭反应釜抽真空使密闭反应釜内呈负压完全涡流状态，形成涡流搅拌；

(3)在步骤(2)得到的硅溶胶溶液中，边进行涡流搅拌边将活性剂0.5-5％、FA/O螯合剂0.1-5％、氧化剂0.5-4％，依次加入到密闭反应釜中，持续保持完全涡流状态；

(4)最后将胺碱3-10％在完全涡流的状态下抽入到步骤(3)得到的溶液中，充分涡流搅拌5-15分钟后得到pH值为9-12的抛光液，进行灌装即可；

得到的抛光液含质量百分比浓度为50％、粒径为15-25nm莫氏硬度7的SiO₂溶胶80-95.4％，上述活性剂、氧化剂、FA/O螯合剂和胺碱的百分比均以最后得到的抛光液为基准。

2.根据权利要求1所述的极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法，其特征在于，所述胺碱为羟乙基乙二胺、三乙醇胺、四甲氢氧化铵中的任一种。

3.根据权利要求1所述的极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法，其特征在于：所述的氧化剂是过氧化氢或过氧焦磷酸。

4.根据权利要求1所述的极大规模集成电路多层布线中钨插塞的抛光液的制备方法，其特征在于：抛光液总量不超过密闭反应釜容量的4/5。