[发明专利]极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法有效
| 申请号： | 201010231680.X | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101908502A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;牛新环;王辰伟;何彦刚 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B08B1/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 闫俊芬 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 极大 规模 集成电路 钨插塞 cmp 表面 洁净 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法，其特征在于，按照以下步骤进行(重量wt％)：
(1)水抛液的制备：取一定量的去离子水，边搅拌边加入活性剂、螯合剂、阻蚀剂，活性剂的加入量为15-30g/L，螯合剂的加入量为5-20g/L，阻蚀剂的加入量为1-60g/L；
(2)碱性CMP后立即使用上述水溶液采用1000g/min-4000g/min的流量进行水抛清洁，水抛时间为30s-3min。
2.根据权利要求1所述的极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法，其特征在于：所述步骤(1)的活性剂为天津晶岭微电子材料有限公司销售的FA/O表面活性剂、Oπ-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、Oπ-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)、O-20(C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)、JFC的一种。
3.根据权利要求1所述的极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法，其特征在于：所述步骤(1)螯合剂为乙二胺四乙酸四(四羟乙基乙二胺)。
4.根据权利要求1所述的极大规模集成电路钨插塞CMP后表面洁净方法，其特征在于：所述步骤(1)的阻蚀剂为是六次甲基四胺或苯丙三氮唑。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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