[发明专利]一种负载型茂金属催化剂及其制备与应用

权利要求书

1.一种负载型茂金属催化剂的制备方法，其特征在于：

(1)SiO₂的功能化修饰

SiO₂的活化温度为100～1000℃，活化时间为0.5～200h，经过活化处理的SiO₂表面带有羟基；

将活化的SiO₂均匀分散于干燥的溶剂中，搅拌条件下加入含不饱和双键的卤硅烷反应，控制反应温度在-40℃～150℃，反应时间为0.5～200h，反应完毕后经除溶剂，洗涤，减压抽干后处理得到功能化的SiO₂固体；SiO₂与溶剂比为1g∶0.00001～100000mL；不饱和双键卤硅烷的加入量，根据活化SiO₂的表面羟基含量进行计，卤硅烷与SiO₂表面羟基的摩尔比为(10000∶1)～(1∶10000)；

(2)功能化SiO₂负载茂金属化合物催化剂的制备

1g功能化SiO₂均匀分散于0.00001～100000mL干燥的溶剂中，搅拌条件下加入0.00001mol～1000000mol含铝有机金属化合物进行反应，控制反应温度在-40℃～150℃，反应时间为0.5～200h；然后将茂金属化合物的溶液加入至反应体系中，继续反应，控制反应温度在-40℃～150℃，反应时间为0.5～200h，反应完毕后经除溶剂，洗涤，减压抽干处理得到固体催化剂；

茂金属化合物的中心原子Ti、Zr或Hf，按重量百分比为载体重量的0.01～50％。

2.根据权利1所述的负载型茂金属催化剂的制备方法，其特征在于：茂金属化合物的有机配体是环戊二烯基及其衍生物，或茚基及其衍生物，或芴基及其衍生物，或桥联的环戊二烯基及其衍生物，或桥联的茚基及其衍生物，或桥联的芴基及其衍生物。

3.根据权利1所述的负载型茂金属催化剂的制备方法，其特征在于：含不饱和双键的卤硅烷，其结构式如所示

其中X为卤素原子；A为末端含双键的芳基或含双键的烷基；R₁和R₂为H原子、烷基、芳基或卤素原子。

4.根据权利1所述的负载型茂金属催化剂的制备方法，其特征在于：含铝有机金属化合物是烷基铝及其衍生物或烷基铝氧烷及其衍生物的一种或多种。

5.根据权利1所述的负载型茂金属催化剂的制备方法，其特征在于：干燥溶剂为甲苯、四氢呋喃、二甲苯、己烷、二氯甲烷、庚烷一种或多种。

6.一种权利1所述的负载型茂金属催化剂，其特征在于：是由权利1所述的方法制备的负载型茂金属催化剂。

7.一种权利1所述的负载型茂金属催化剂的应用，其特征在于：该催化剂用于乙烯、丙烯、C₄～C₂₀的α-烯烃、环烯烃、二烯烃的均聚或它们中任意两种或两种以上混合物的共聚；助催化剂为烷基铝或烷基铝氧烷的一种或混合物；铝与茂金属化合物的中心原子的摩尔比为10～3000；聚合温度为-78℃～200℃，压力为0.1～10Mpa。