[发明专利]具有晶体管与电阻值切换装置并联的非挥发性存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括具有多个存储单元的一阵列，且该些存储单元中的至少一存储单元包括：

一晶体管，具有一第一端，一第二端与一栅极端，该晶体管用以在分别与多个存储器状态相关的不同的多个临界电压之间切换；以及

一电阻值切换装置，与该晶体管并联，以使该电阻值切换装置连接至该晶体管的该第一端与该第二端，且该电阻值切换装置用以在分别与所述多个存储器状态相关的不同的多个电阻值之间切换。

2.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该电阻值切换装置包括分别具有不同的多个电阻切换特性的一第一接口区域与一第二接口区域。

3.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，该第一接口区域与该第二接口区域的至少其中之一包括一氧化钨层的至少一部份。

4.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，该第一接口区域的该些电阻切换特性是对称于该第二接口区域的该些电阻切换特性。

5.如权利要求2所述的存储器装置，其特征在于，该第一接口区域的该些电阻切换特性是不对称于该第二接口区域的该些电阻切换特性。

6.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该电阻值切换装置包括一第一可编程金属化单元。

7.如权利要求6所述的存储器装置，其特征在于，该电阻值切换装置包括一第二可编程金属化单元。

8.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，该第一可编程金属化单元包括一第一固态电解质层，并且该第二可编程金属化单元包括一第二固态电解质层。

9.如权利要求8所述的存储器装置，其特征在于，该电阻值切换装置包括一可氧化电极层，该可氧化电极层设置在该第一固态电解质层与该第二固态电解质层之间。

10.如权利要求7所述的存储器装置，其特征在于，该第一可编程金属化单元与该第二可编程金属化单元分别具有不同的多个电阻切换特性。

11.如权利要求10所述的存储器装置，其特征在于，该第一可编程金属化单元的该些电阻切换特性对称于该第二可编程金属化单元的该些电阻切换特性。

12.如权利要求10所述的存储器装置，其特征在于，该第一可编程金属化单元的该些电阻切换特性不对称于该第二可编程金属化单元的该些电阻切换特性。

13.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该电阻值切换装置包括一第一存储器结构与一第二存储器结构。

14.如权利要求13所述的存储器装置，其特征在于，该第一存储器结构包括一电阻性随机存取存储器、一磁阻性随机存取存储器与一铁电性随机存取存储器的其中之一。

15.如权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，该晶体管包括一浮动栅极。

16.一种存储器装置，其特征在于，包括：

多个位线；

多个字符线；

一第一存储器串行，包括一第一存储单元群组；

一第二存储器串行，包括一第二存储单元群组；以及

一共同源极线，连接至该第一存储器串行与该第二存储器串行；

其中，该第一存储器串行与该第二存储器串行分别连接至该些位线；

其中，该些字符线分别连接至该第一存储单元群组的存储单元以及连接至该第二存储单元群组的存储单元；

其中，该第一存储单元群组包括一第一存储单元，该第一存储单元连接在该共同源极线与该些位线的一第一位线之间，该第一存储单元包括：

一第一晶体管，具有一第一端，一第二端与一栅极端，该第一晶体管用以在分别与多个存储器状态相关的不同的多个临界电压之间切换；以及

一第一电阻值切换装置，与该第一晶体管并联，以使该第一电阻值切换装置连接至该第一晶体管的该第一端与该第二端，且该第一电阻值切换装置用以在分别与所述多个存储器状态相关的不同的多个电阻值之间切换。

17.如权利要求16所述的存储器装置，其特征在于，该第一晶体管的该栅极端连接至该些字符线的一第一字符线。

18.如权利要求16所述的存储器装置，其特征在于，该位线与该共同源极线可以被控制，以储存数据至该第一晶体管并储存数据至该第一电阻值切换装置。