[发明专利]基于Y波导的双分布反馈激光器双放大器的制作方法

权利要求书

1.一种基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，包括如下步骤：

步骤1：选择一N型磷化铟衬底；

步骤2：在N型磷化铟衬底上依次外延制作InP缓冲层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层和光栅层，形成材料结构；

步骤3：在材料结构的一侧制作无源波导区，另一侧为有源波导区；

步骤4：在多量子阱有源区上部的上波导层和光栅层上远离无源波导区的一侧制作光栅，该有光栅的部分为DFB区，该DFB区分为DFB1区和DFB2区，另一部分为SOA区，该SOA区分为SOA1区和SOA2区；

步骤5：在有源波导区和无源波导区上依次外延制作光栅盖层、光限制层和电接触层；

步骤6：在电接触层上向下刻蚀出Y型脊波导，刻蚀深度至光栅层的表面；

步骤7：在光栅层的上面及Y型脊波导的表面生长二氧化硅绝缘层；

步骤8：将有源波导区上的Y型脊波导上面的二氧化硅绝缘层腐蚀掉；

步骤9：在有源波导区上的Y型脊波导两臂的中间制作第一电隔离沟，在有源波导区上的DFB区和SOA区之间制作第二电隔离沟；

步骤10：在第一电隔离沟的两侧及第二电隔离沟的两侧制作P面电极；

步骤11：将N型磷化铟衬底减薄；

步骤12：在减薄后的N型磷化铟衬底的下面制作N面电极，完成器件的制作。

2.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，其中多量子阱有源区为铟镓砷磷或铟镓铝砷材料，材料的带隙波长为1.55μm，总厚度为70-200纳米。

3.根据权利要求1或2所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，其中所述的多量子阱有源区的量子阱个数为4-10。

4.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，其中所述的制作无源波导区，是采用对接生长或量子阱混杂技术实现的。

5.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，其中所述的制作无源波导区的结构包括：依次生长的下限制层、波导芯层和上限制层。

6.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，其中DFB1区和DFB2区的光栅周期对应的激射波长相同或是有一个1-10纳米波长的偏调。

7.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，其中在制作完成的器件的有源波导区的端面蒸镀高反射膜。

8.根据权利要求1所述的基于Y波导的双分布反馈激光器+双放大器的制作方法，其中在制作完成的器件的无源波导区的端面蒸镀抗反射膜。