[发明专利]在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法无效
| 申请号： | 201010231169.X | 申请日： | 2010-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101962802A | 公开（公告）日： | 2011-02-02 |
| 发明（设计）人： | 苏少坚;汪巍;成步文;王启明;张广泽;胡炜玄;白安琪;薛春来;左玉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C30B23/02 | 分类号： | C30B23/02;C30B25/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | si 衬底 分子 外延 生长 gesn 合金 方法 | ||
1.一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：
步骤1：在Si衬底上生长一层第一Ge材料层；
步骤2：在第一Ge材料层上生长一层第二Ge材料层；
步骤3：在第二Ge材料层上生长一层第一GeSn合金层；
步骤4：在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层，完成材料的生长。
2.根据权利要求1所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中第一Ge材料层的生长温度小于400℃。
3.根据权利要求1所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中第二Ge材料层的生长温度大于400℃。
4.根据权利要求1所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中步骤1和步骤2中的第一、第二Ge材料层是以固体Ge为源材料，采用分子束外延方法生长生长的。
5.根据权利要求1所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中步骤1和步骤2中的第一、第二Ge材料层是以GeH4和Ge2H6的Ge和H的化合物为源材料，采用化学气相沉积方法生长的。
6.根据权利要求1所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中第一GeSn合金层采用分子束外延方法生长，生长温度为50-150℃。
7.根据权利要求1所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中第二GeSn合金层采用分子束外延方法生长，生长温度为150-300℃。
8.一种在Si衬底上分子束外延生长GeSn合金的方法，包括如下步骤：
步骤1：在Si衬底上生长一层第一GeSn合金层；
步骤2：在第一GeSn合金层上生长一层第二GeSn合金层，完成材料的生长。
9.根据权利要求8所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中第一GeSn合金层采用分子束外延方法生长，生长温度为50-150℃。
10.根据权利要求8所述的在Si衬底上外延生长GeSn合金的方法，其中第二GeSn合金层采用分子束外延方法生长，生长温度为150-300℃。
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