[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件是半导体芯片面朝下焊接连接在具有上表面和与该上表面相反一侧的下表面的布线基板的所述上表面一侧，且在所述布线基板的所述下表面一侧具有能与安装基板连接的焊球的半导体器件，

所述半导体器件的制造方法的特征在于，

包括进行所述焊接连接以将所述半导体芯片面朝下焊接连接到所述布线基板的所述上表面上的工序a，

当对所述半导体芯片进行所述焊接连接时，在连接所述焊球的所述布线基板的所述下表面一侧的焊盘的表面上形成有焊接预涂层，其中，所述焊盘以铜为主要成份。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述焊接预涂层是由无铅焊料形成的。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述无铅焊料为锡-铜类或者锡-银-铜类的焊料。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a之后，通过对所述焊接预涂层加热来将所述焊球电连接在所述布线基板的所述焊盘上。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a之前，还具有在所述布线基板的所述下表面一侧的多个所述焊盘上形成所述焊接预涂层的工序，在所述焊接预涂层的厚度方向上，所述焊接预涂层比覆盖连接所述焊接预涂层的所述焊盘的周边部的绝缘膜更下凹。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，当进行所述焊接连接以将所述半导体芯片焊接连接到所述布线基板上时，用第一头部件对所述半导体芯片的背面加热，再用第二头部件对所述布线基板的所述下表面加热，其中，用所述第一头部件对所述半导体芯片加热时的加热温度比用所述第二头部件对所述布线基板加热时的加热温度高。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，当进行所述焊接连接以将所述半导体芯片焊接连接到所述布线基板上时，在真空吸附着所述半导体芯片的状态下用所述第一头部件对所述半导体芯片进行加热，再在真空吸附着所述布线基板的状态下用所述第二头部件对所述布线基板进行加热。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，当进行所述焊接连接以将所述半导体芯片焊接连接到所述布线基板上时，在所述半导体芯片的主面上设有由锡-银-铜形成的多个焊料突起。

9.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，当进行所述焊接连接以将所述半导体芯片焊接连接到所述布线基板上时，将焊球布置在所述布线基板的所述上表面一侧的多个倒装芯片用电极上，在完成所述布置之后，利用回流焊使所述焊球熔化。

10.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，当进行所述焊接连接以将所述半导体芯片焊接连接到所述布线基板上时，将焊膏涂敷在所述布线基板的所述下表面一侧的多个所述焊盘上，在完成所述涂敷之后，利用回流焊使所述焊球和所述焊膏熔化。

11.如权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述工序a中，当进行所述焊接连接以将所述半导体芯片焊接连接到所述布线基板上时，将焊接预涂层用焊球布置在所述布线基板的所述下表面一侧的多个所述焊盘上，在完成所述布置之后，利用所述回流焊使所述焊球和所述焊接预涂层用焊球熔化，从而在所述多个焊盘的表面上形成所述焊接预涂层。