[发明专利]一种掩模板的制作方法无效
| 申请号： | 201010229457.1 | 申请日： | 2010-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN101916039A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 李春兰;洪志华;戴海哲;谭景霞;熊启龙;邓振玉 | 申请（专利权）人： | 深圳清溢光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;G03F1/14;G03F1/08 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 模板 制作方法 | ||
1.一种掩模板的制作方法，是用于原材料结构为衬底层、灰阶掩模层、基础材质层及光刻胶层的掩模板的制作，其中光刻胶层的厚度为t0，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：
(a)制作第一图形和第二图形，采用第一图形对光刻胶层进行第一次曝光，使对应区域内的光刻胶层的厚度减薄至t1；
(b)采用第二图形对光刻胶层进行第二次曝光，使对应区域内的光刻胶层的厚度减薄至t2，t2不等于t1，使光刻胶层呈t0，t1，t2三个厚度互不相等的区域；
(c)将光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除；
(d)刻蚀步骤(c)中去除光刻胶层区域处的基础材质层及灰阶掩模层；
(e)再将所余光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除；
(f)刻蚀步骤(e)中去除光刻胶层区域处的基础材质层。
2.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：所述第二图形包括第一图形的区域，第一次曝光为对第一图形闭合区域内进行曝光，第二次曝光为对第二图形闭合区域外进行曝光，且第二次曝光的能量高于第一次曝光的能量。
3.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：所述第一图形包括第二图形的区域，第一次曝光是对第一图形闭合区域外进行的曝光，第二次曝光是对第二图形闭合区域内进行的曝光，且第一次曝光的能量高于第二次曝光的能量。
4.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：在第二次曝光工序后，进行第一次显影工序，以将光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除。
5.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：在步骤(d)之后，进行第二次显影工序，以将所余光刻胶层最薄处的区域内的光刻胶去除。
6.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：所述掩模板还包括刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层位于灰阶掩模层上方。
7.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：所述衬底层的材料为石英玻璃。
8.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：所述基础材质层的材料为铬与氧化铬。
9.如权利要求1所述的一种掩模板的制作方法，其特征在于：步骤(f)完成后，还包含以下处理工艺：掩模板清洗、检查修复、贴膜和包装出货工序。
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