[发明专利]正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法

权利要求书

1.正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征是，该方法由以下步骤实现：

步骤一、采用真空镀膜技术，在ITO玻璃表面蒸镀铬金属；

步骤二、采用光刻、腐蚀的方法在步骤一所述铬金属的表面制备阴极电极条；获得带有电极的场发射阴极衬底；

步骤三、在步骤二所述的阴极电极条的表面旋涂光刻胶，然后对所述光刻胶采用适当的温度进行前烘、曝光后进行两次显影；采用等离子体干法刻蚀机对旋涂的光刻胶进行等离子体氧化，获得带有光刻胶占位点的玻璃衬底；

步骤四、将步骤三获得的光刻胶占位点的玻璃衬底上旋涂低熔点玻璃粉绝缘浆料，然后将所述玻璃衬底放入烤炉中进行两次烧结，采用金刚砂通过光学磨削加工法去除高于光刻胶占位点上的低熔点玻璃粉；获得与光刻胶占位点高度相同的低熔点玻璃粉的ITO玻璃衬底；

步骤五、对步骤四所述的ITO玻璃衬底继续烧结，去除光刻胶的占位点，获得发射器件的腔体；

步骤六、对步骤五获得发射器件的腔体采用超声波振动，获得正栅极结构中场发射器件的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤一所述的在ITO玻璃表面蒸镀铬金属，所述铬金属的厚度范围为

3.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤二所述的采用光刻、腐蚀的方法在步骤一所述铬金属的表面制备阴极电极条的具体方法为：选用正型光刻胶RZJ-306 14mpa.s在铬金属的表面进行匀胶、前烘、曝光、显影和后烘，获得掩膜图形；然后采用铬金属的腐蚀液和ITO的腐蚀液分别对铬金属和ITO进行刻蚀；获得阴极电极条。

4.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤三所述的光刻胶的型号为SU8-50，所述光刻胶的粘度为100mpa.s，光刻胶的厚度由旋涂时的匀胶机的转速决定；所述匀胶机的转速为800转/分钟。

5.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤三所述的两次显影的时间分别为：第一次显影的时间为15分钟，第二次显影的时间为1分钟。

6.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤三中对所述光刻胶采用适当的温度进行前烘、曝光后进行两次显影；所述适当的温度为85℃，前烘的时间为40分钟。

7.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤四所述的低熔点玻璃粉为在旋涂前采用磁力搅拌器搅拌三小时。

8.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤四所述的两次烧结的温度为430℃，时间为10分钟。

9.根据权利要求1所述的正栅极结构的场发射器件中绝缘层的制作方法，其特征在于，步骤五所述的烧结温度为470℃，时间为10分钟。