[发明专利]用于制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010228222.0 | 申请日： | 2010-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN102315156A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 尹晓明;孙武;张海洋;赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括下列步骤：
a)制备半导体晶片，在所述半导体晶片的顶层已顺次形成有蚀刻停止层、层间介电层和具有图案的光致抗蚀剂层；
b)在第一工艺反应腔中，以所述光致抗蚀剂层为掩膜蚀刻所述层间介电层至露出所述刻蚀停止层；
c)将所述半导体晶片传送至第二工艺反应腔；
d)在所述第二工艺反应腔中，去除所述光致抗蚀剂层；
e)将所述半导体晶片传送回所述第一工艺反应腔；
f)在所述第一工艺反应腔中，以所述刻蚀后的层间介电层为掩膜刻蚀所述蚀刻停止层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在步骤b)与步骤e)之间还包括下列步骤：将气体通入到所述第一工艺反应腔中进行吹扫或者执行排空处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述气体是N2或Ar2。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层间介电层由低k材料构成。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述低k材料是黑钻。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一工艺反应腔内包含含氟的残留物。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第二工艺反应腔内不包含含氟的残留物。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂的去除采用选自O2、O2/H2O和CO2中的至少一种气体进行剥离。
9.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。
10.一种包含通过根据权利要求1所述的方法制造的半导体器件的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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