[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
| 申请号: | 201010227430.9 | 申请日: | 2010-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN101950795A | 公开(公告)日: | 2011-01-19 |
| 发明(设计)人: | 李京俊;裴圣镇 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;王青芝 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器包括:
显示基底,包括有机发光元件和具有限定有机发光元件的发光区域的开口的像素限定层;
封装基底,布置为与显示基底相对;
密封剂,布置在显示基底和封装基底之间的边缘处,以从外部密封显示基底和封装基底之间的空间;
填充物,填充显示基底和封装基底之间的空间,
其中,像素限定层具有随位置而改变的厚度,像素限定层的最接近在显示基底的边缘的密封剂的部分具有比像素限定层在显示基底的全部其它部分的厚度厚的厚度。
2.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,在显示基底中的像素限定层具有相对小的厚度的位置处布置滴落点,像素限定层的厚度以阶梯方式改变。
3.如权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中,像素限定层包括布置在滴落点附近的最薄厚度部分和布置在显示基底的边缘处的最厚厚度部分,像素限定层的厚度从最薄厚度部分到最厚厚度部分逐渐增大。
4.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,像素限定层具有阶梯结构的剖面。
5.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,其中,像素限定层具有线性倾斜结构的剖面。
6.如权利要求3所述的有机发光二极管显示器,所述有机发光二极管显示器还包括布置在显示基底和封装基底中的至少一个上的多个分隔件,以保持显示基底和封装基底之间的间距。
7.如权利要求6所述的有机发光二极管显示器,其中,所述多个分隔件中的一些具有根据位置变化的长度。
8.如权利要求2所述的有机发光二极管显示器,其中,所述有机发光二极管显示器包括至少两个单独的滴落点。
9.如权利要求8所述的有机发光二极管显示器,其中,滴落点沿与显示基底的长边平行的方向设置。
10.一种制造有机发光二极管显示器的方法,该方法包括以下步骤:
设置显示基底和封装基底;
在显示基底上形成像素限定层,像素限定层具有在不同位置而变化的厚度,其中,像素限定层的具有相对薄的厚度的部分包括滴落点,像素限定层的边缘具有最厚的厚度;
沿显示基底和封装基底中的至少一个的边缘涂覆密封剂;
将填充物滴落到显示基底的滴落点上;
允许填充物扩散到显示基底的边缘;
通过使显示基底与封装基底结合在一起来将显示基底和封装基底密封到一起。
11.如权利要求10所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中
显示基底还包括有机发光元件,
像素限定层具有限定有机发光元件的发光区域的开口。
12.如权利要求10所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中
像素限定层包括邻近滴落点并在滴落点附近布置的最薄厚度部分和在显示基底的边缘布置的最厚厚度部分,
密封剂布置成接近像素限定层的最厚厚度部分。
13.如权利要求12所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中,像素限定层的厚度从最薄厚度部分到最厚厚度部分逐渐增大。
14.如权利要求13所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中,像素限定层具有阶梯结构的剖面。
15.如权利要求13所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中,像素限定层具有线性倾斜结构的剖面。
16.如权利要求10所述的制造有机发光二极管显示器的方法,还包括在显示基底和封装基底的至少一个上形成多个分隔件。
17.如权利要求16所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中,所述多个分隔件中的一些具有根据位置而变化的长度。
18.如权利要求10所述的制造有机发光二极管显示器的方法,还包括在将显示基底和封装基底结合在一起时使密封剂硬化。
19.如权利要求11所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中,有机发光二极管显示器包括至少两个单独的滴落点。
20.如权利要求19所述的制造有机发光二极管显示器的方法,其中,滴落点沿与显示基底的长边平行的方向布置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





