[发明专利]半导体发光装置

权利要求书

1.一种半导体发光装置，包括：

导线架，其包括焊接区；

半导体发光元件，其安装在所述焊接区；以及

壳体，其覆盖所述导线架的一部分，

其中所述焊接区露出到所述壳体的外部；

其中所述导线架包括从所述焊接区延伸的第一延伸部分，该第一延伸部分在厚度上小于所述焊接区；并且

其中所述导线架还包括从所述焊接区延伸的第二延伸部分，该第二延伸部分在厚度上大于所述第一延伸部分；

其中所述第二延伸部分露出到所述壳体的外部。

2.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导线架包括从所述焊接区延伸的多个第一延伸部分和从所述焊接区延伸的多个第二延伸部分，所述多个第一延伸部分与所述多个第二延伸部分交替地布置，所述壳体具有位于各第一延伸部分与相邻的一个第二延伸部分之间的部分。

3.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导线架还包括导线连接区，该导线连接区具有面对所述焊接区的边缘，所述导线连接区的所述边缘形成有附加的延伸部分，该附加的延伸部分在厚度上小于所述焊接区。

4.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导线架的所述焊接区为长形并且具有纵向边缘，多个第一延伸部分和多个第二延伸部分从所述纵向边缘突出。

5.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述第二延伸部分具有与所述焊接区相同的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导线架还包括经由导线连接到所述发光元件的导线连接区，该导线连接区比所述焊接区短。

7.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述发光元件是LED。

8.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述发光元件包括n型半导体层和p型半导体层。

9.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述发光元件包括n型半导体层，p型半导体层，以及夹于所述n型半导体层和所述p型半导体层之间的活性层。

10.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述发光元件发红光。

11.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述发光元件发绿光。

12.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述发光元件发蓝光。

13.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述壳体具有斜削的内表面。

14.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述壳体由白树脂制成。

15.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述壳体填充有透明树脂。

16.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导线架具有形成有切口的外端。

17.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导线架为长形，所述发光元件基本上安装在所述导线架的纵向的中央。

18.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述导线架为长形，所述发光元件基本上安装在所述导线架的宽度方向的中央。

19.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述发光元件连接到导线，该导线具有与所述导线架的顶表面基本上平行地延伸的部分。

20.如权利要求1所述的半导体发光装置，其中所述壳体具有较宽的上部和较窄的下部。

21.如权利要求1所述的半导体发光装置，具有4mm的长度、1mm的宽度和0.6mm的高度。