[发明专利]发光二极管封装结构及封装方法无效

专利信息
申请号: 201010226691.9 申请日: 2010-07-15
公开(公告)号: CN102332522A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 林升柏 申请(专利权)人: 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/36
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,其包括一金属薄膜,所述金属薄膜具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,并且该金属薄膜包括相互绝缘的第一金属层和第二金属层,一发光二极管晶粒设置在金属薄膜的第一表面,该发光二极管晶粒具有第一电极和第二电极,第一电极与第一金属层电性连接,第二电极与第二金属层电性连接,其特征在于,所述发光二极管封装结构进一步包括一玻璃封装体,用于密封设置在金属薄膜上的发光二极管晶粒,所述金属薄膜的第二表面显露于玻璃封装体的外部。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极管封装结构进一步包括一荧光转换层,该荧光转换层设置在玻璃封装体的表面。

3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述玻璃封装体包括荧光粉颗粒,所述荧光粉颗粒分散于玻璃封装体中。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述玻璃封装体内部具有一容置空间,所述发光二极管晶粒设置在该容置空间内。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述容置空间的内壁设置有一层荧光转换层。

6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述发光二极晶粒表面设置有一层荧光转换层。

7.如权利要求1至6任意一项所述的发光二极管封装结构,其特征在于,所述玻璃封装体的制作材料为SiO2或NaO.nSiO2,其中n>0。

8.一种发光二极管封装方法,其包括以下步骤:

在基体上形成一层金属薄膜,所述金属薄膜包括第一表面以及与第一表面相对的第二表面;

将金属薄膜图案化而形成相互绝缘的第一金属层和第二金属层;

在金属薄膜的第一表面设置发光二极管晶粒,所述发光二极管晶粒具有第一电极和第二电极,第一电极与第一金属层电性连接,第二电极与第二金属层电性连接;

采用玻璃材料密封设置在金属薄膜上的发光二极管晶粒以形成一玻璃封装体;

移除基体而显露出金属薄膜的第二表面。

9.如权利要求8所述的发光二极管封装方法,其特征在于,在密封过程之中,在玻璃封装中添加荧光粉颗粒,使荧光粉颗粒分散在玻璃封装体中。

10.如权利要求8所述的发光二极管封装方法,其特征在于,在密封过程中,在玻璃封装体内部形成一容置空间,所述发光二极管晶粒设置在该容置空间内,荧光转换层设置在容置空间的内壁或发光二极管晶粒的表面。

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