[发明专利]金属柱凸块结构及其形成方法

权利要求书

1.一种金属柱凸块结构的形成方法，包括：

形成一保护层于一半导体基板之上；

形成一导电层于该保护层之上；

提供经图案化与经过蚀刻的一阻剂层于该导电层之上，该阻剂层中定义有至少一开口；

沉积一金属层于该至少一开口内；

沿着介于该阻剂层与该金属层间的一或多个界面蚀刻部分的该阻剂层，以形成多个凹穴；

沉积一焊锡材料于该至少一开口内，该焊锡材料填入所述多个凹穴内以及高于该金属层的该开口的一部内；

移除剩余的该阻剂层与未形成于该金属层之下的该导电层；以及

回焊该焊锡材料以包覆该金属层。

2.如权利要求1所述的金属柱凸块结构的形成方法，其中该保护层具有择自由一氧化物、未掺杂硅玻璃、聚亚酰胺、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅所组成族群内的一材料。

3.如权利要求1所述的金属柱凸块结构的形成方法，其中该导电层包括了钛或铜，该金属层包括铜或铜合金。

4.如权利要求1所述的金属柱凸块结构的形成方法，还包括形成一金属阻障层于该金属层之上。

5.如权利要求1所述的金属柱凸块结构的形成方法，其中该阻剂层经过包括CF₄、氩气、氧气、氮气或CHF₃的一气体、介于约50-150℃的一温度、约800-1000瓦特的施行功率及约40秒至1分钟的施行时间的蚀刻条件的蚀刻。

6.如权利要求1所述的金属柱凸块结构的形成方法，其中回焊该焊锡材料包覆了该导电层。

7.一种金属柱凸块结构，包括：

一保护层，形成于一半导体基板之上；

一导电层，形成于该保护层之上；

一金属层，形成于该导电层之上；以及

一焊锡材料层，包覆该金属层。

8.如权利要求7所述的金属柱凸块结构，其中该保护层具有择自由一氧化物、未掺杂硅玻璃、聚亚酰胺、氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅所组成族群内的一材料。

9.如权利要求7所述的金属柱凸块结构，其中该导电层包括了钛或铜，该金属层包括铜或铜合金，而该焊锡材料包覆了该导电层。

10.如权利要求7所述的金属柱凸块结构，还包括一金属阻障层，形成于该金属层之上。