[发明专利]室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件及其制备方法无效
| 申请号: | 201010223651.9 | 申请日: | 2010-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN101881745A | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
| 发明(设计)人: | 李强;霍丽华;高山;赵辉 | 申请(专利权)人: | 黑龙江大学 |
| 主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
| 地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 室温 氧化物 酞菁铜杂化 薄膜 醇类气敏 元件 及其 制备 方法 | ||
1.室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件,其特征在于室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件从内至外依次由金叉指玻璃基片、氧化物薄膜和酞菁铜薄膜构成,其中的氧化物为Cr、Mo、Fe或Sn的氧化物。
2.如权利要求1所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法按以下步骤进行:一、按金属硝酸盐的浓度为0.008mol/L~0.013mol/L配制金属硝酸盐水溶液,然后再按金属硝酸盐与盐酸的摩尔浓度比为2~4:1,向金属硝酸盐水溶液中加入浓度为6mol/L的浓盐酸,搅拌均匀,得到混合液;二、将经步骤一得到的混合液加入到有回流装置的反应器中,加热至108℃~112℃并保持回流2h~8h,得到金属氧化物溶胶;三、将金叉指玻璃基片以20mm/min~40mm/min的速度竖直浸没到经步骤二得到的金属氧化物溶胶中,停留2min~5min,再以20mm/min~40mm/min的速度将金叉指玻璃基片从溶胶中提出,然后将金叉指玻璃基片烘干;四、将步骤三的操作反复进行8~12次;五、将经过步骤四处理的金叉指玻璃基片在480℃~520℃的马弗炉中烧结0.8h~1.2h,得到覆有氧化物薄膜的金叉指玻璃基片;六、用旋转涂膜法将浓度为10-4mol/L~10-2mol/L的酞菁铜氯仿溶液甩涂在经步骤五得到的覆有氧化物薄膜的金叉指玻璃基片,滴加酞菁铜氯仿溶液时匀胶机的转速为500转/分~800转/分,滴加时间为10s~20s,甩膜时匀胶机的转速为3000转/分~4000转/分,甩膜时间为10s~30s,得到室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件;步骤一中所述的金属硝酸盐为Cr、Mo、Fe或Sn的硝酸盐。
3.根据权利要求2所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤一中金属硝酸盐的浓度为0.009mol/L~0.012mol/L,金属硝酸盐与盐酸的摩尔浓度比为2.5~3.5:1。
4.根据权利要求2或3所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤二中加热至109℃~111℃并保持回流3h~7h。
5.根据权利要求4所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤三中以25mm/min~38mm/min的速度竖直浸没到经步骤二得到的金属氧化物溶胶中,停留2.5min~4.5min,再以25mm/min~38mm/min的速度将金叉指玻璃基片从溶胶中提出。
6.根据权利要求2、3或5所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤四中操作反复进行9~11次。
7.根据权利要求6所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤五中马弗炉的温度为480℃~520℃、烧结时间为0.8h~1.2h。
8.根据权利要求2、3、5或7所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤六中酞菁铜氯仿溶液中酞菁铜的浓度为5×10-4mol/L~8×10-3mol/L。
9.根据权利要求8所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤六中滴加酞菁铜氯仿溶液时匀胶机的转速为550转/分~750转/分,滴加时间为12s~18s。
10.根据权利要求2、3、5、7或9所述的室温氧化物-酞菁铜杂化薄膜醇类气敏元件的制备方法,其特征在于步骤六中甩膜时匀胶机的转速为3200转/分~3800转/分,甩膜时间为12s~28s。
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