[发明专利]电热分离式发光二极管支架结构制成方法无效

专利信息
申请号: 201010222698.3 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN102315376A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 林士杰;陈立敏;陈咏杰 申请(专利权)人: 一诠精密电子工业(中国)有限公司;一诠精密工业股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周长兴
地址: 215343 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 电热 分离 发光二极管 支架 结构 制成 方法
【权利要求书】:

1.一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其包含下列步骤:

于一散热板上形成至少二散热基座;

于一支架板上形成至少二组导电支架;

该散热板与该支架板相互耦合,以使该至少二散热基座设置于该至少二组导电支架间,且该至少二散热基座与该至少二组导电支架不相连;及

该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于一胶座内,且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部,及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外。

2.如权利要求1所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,于该散热板上形成该至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成该至少二散热基座。

3.如权利要求1所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,于该支架板上形成该至少二组导电支架的步骤是由冲压工艺以形成该至少二组导电支架。

4.如权利要求1所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内,且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部,及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中,该至少二散热基座部分暴露于该凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片,并且发光二极管芯片分别与部分暴露于该凹陷部的任一组导电支架形成电性连接。

5.如权利要求4所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内,且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部,及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中,包含于该凹陷部覆盖有一封装胶体的步骤。

6.一种电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其包含下列步骤:

制成具有二种厚度差异的一厚薄板;

于该厚薄板厚度较大处形成至少二散热基座;

于该厚薄板厚度较小处形成至少二组导电支架,且该至少二组导电支架与该至少二散热基座不相连;及

该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于一胶座内,且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部,及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外。

7.如权利要求6所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,于该厚薄板厚度较大处形成该至少二散热基座的步骤是由冲压工艺以形成该至少二散热基座。

8.如权利要求6所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,于该厚薄板厚度较小处形成该至少二组导电支架,且该至少二组导电支架与该至少二散热基座不相连的步骤是由冲压工艺以形成该至少二组导电支架。

9.如权利要求6所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内,且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部,及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中,该至少二散热基座部分暴露于该凹陷部是用以分别固定发光二极管芯片,并且发光二极管芯片分别与部分暴露于该凹陷部的任一组导电支架形成电性连接。

10.如权利要求9所述的电热分离式发光二极管支架结构制成方法,其中,该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分被埋入于该胶座内,且该至少二散热基座以及该至少二组导电支架部分暴露于该胶座的凹陷部,及该至少二组导电支架部分延伸于该胶座外的步骤中,包含于该凹陷部覆盖有一封装胶体的步骤。

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