[发明专利]用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃及其制作方法

权利要求书

1.一种用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃，其特征在于由下述重量份配比的原料制成的，铁尾矿30～35，石英40～45，氧化铝16～18，碳酸锂5～10，氧化锌0.2～2，碳酸钡0.1～2，硼酸0.1～1，氧化钛1～4，氧化锆1～4，其中氧化锌、碳酸钡、硼酸这三种组分的合量为1～4，氧化钛与氧化锆的合量为3～5。

2.根据权利要求1所述的用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃，其特征在于由下述重量份配比的原料制成的，铁尾矿30，石英45，氧化铝17，碳酸锂9.6，氧化锌1，碳酸钡2，硼酸0.8，氧化钛2，氧化锆2。

3.根据权利要求1所述的用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃，其特征在于由下述重量份配比的原料制成的，铁尾矿35，石英40，氧化铝18，碳酸锂7.6，氧化锌1，碳酸钡2，硼酸0.8，氧化钛4，氧化锑1。

4.根据权利要求1所述的用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃，其特征在于由下述重量份配比的原料制成的，铁尾矿35，石英40，氧化铝18，碳酸锂9.6，碳酸钡2，氧化钛2，氧化锆2。

5.根据权利要求1所述的用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃，其特征在于由下述重量份配比的原料制成的，铁尾矿32，石英45，氧化铝16，碳酸锂6，氧化锌0.5，碳酸钡1.6，硼酸0.8，氧化钛3，氧化锆1，氧化锑0.5。

6.一种根据权利要求1所述的用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃的制作方法，其特征在于包括下述步骤：

1)将所述的微晶玻璃配合料放入窑炉中熔化成玻璃液，熔化温度为1550℃～1620℃，熔化时间为4～5小时，

2)将熔化后的玻璃液浇注成型，

3)将成型后的玻璃立即送入窑炉中进行退火，退火温度为600℃～690℃，退火时间为1～2小时，

4)完成退火后直接升温进行核化和晶化处理，核化温度为650℃～750℃，核化时间为1～2小时，晶化温度为750℃～1000℃，晶化时间为1～2小时，

5)将核化和晶化处理后的玻璃从退火的窑炉中取出，进行空冷至室温，即可得到低膨胀微晶玻璃成品。

7.根据权利要求6所述的用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃的制作方法，其特征在于将玻璃配合料熔化所用的窑炉为坩埚或池窑。

8.根据权利要求6所述的用高硅铁尾矿制造的低膨胀微晶玻璃的制作方法，其特征在于所述的退火所用的窑炉为室式窑炉或连续式窑炉。