[发明专利]用于自适应跳闸点检测的设备和方法

权利要求书

1.一种跳闸点检测器电路，其在输入信号节点处接收输入信号且在输出信号节点处产生输出信号，当所述输入信号超出跳闸点参考值时，所述输出信号从第一值改变至第二值，所述跳闸点检测器电路包括：

第一晶体管，其具有第一阀值电压；

第二晶体管，其具有第二阀值电压；以及

切换装置，其用于在所述第一和第二晶体管之间切换以调整所述跳闸点参考值来补偿工艺或温度的变化，如此所述第一和第二晶体管除在预定工艺或温度条件下大体上不传导电流。

2.根据权利要求1所述的跳闸点检测器电路，其中所述第一阀值电压低于所述第二阀值电压。

3.根据权利要求1所述的跳闸点检测器电路，其中所述切换装置基于工艺或温度条件有效地将所述第一晶体管或所述第二晶体管从所述跳闸点检测器电路断开。

4.根据权利要求1所述的跳闸点检测器电路，其中相对所述第一晶体管的尺寸设定所述第二晶体管的尺寸以便所述第二阀值电压高于所述第一阀值电压。

5.根据权利要求1所述的跳闸点检测器电路，其中所述切换装置包含第三晶体管和第四晶体管。

6.根据权利要求5所述的跳闸点检测器电路，其中所述第三晶体管包含耦合至第一信号的端子，且所述第四晶体管包含耦合至第二信号的端子，所述第二信号是所述第一信号的逻辑反相，其中基于所述第一和第二信号，所述第一晶体管或所述第二晶体管大体上不传导电流。

7.根据权利要求6所述的跳闸点检测器电路，其中所述第一和第二信号依赖于工艺或温度条件。

8.根据权利要求5所述的跳闸点检测器电路，其中所述第三晶体管耦合至所述第一晶体管且所述第四晶体管耦合至所述第二晶体管。

9.根据权利要求1所述的跳闸点检测器电路，其中在标称或慢工艺下，或在标称或低温度下，所述第一晶体管大体上不传导电流且所述第二晶体管传导电流。

10.根据权利要求1所述的跳闸点检测器电路，其中在快工艺或高温度下，所述第二晶体管大体上不传导电流且所述第一晶体管传导电流。

11.一种用于调适跳闸点检测器电路的跳闸点参考值的方法，所述跳闸点检测器电路在输入信号节点处接收输入信号且在输出信号节点处产生输出信号，当所述输入信号超出所述跳闸点参考值时，所述输出信号从第一值改变至第二值，所述方法包括：

提供具有第一阀值电压的第一晶体管；

提供具有第二阀值电压的第二晶体管；以及

提供用于在所述第一和第二晶体管之间切换以调整所述跳闸点参考值来补偿工艺或温度的变化。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一阀值电压低于所述第二阀值电压。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述切换装置基于工艺或温度条件有效地将所述第一晶体管或所述第二晶体管从所述跳闸点检测器电路断开。

14.根据权利要求11所述的方法，其中相对所述第一晶体管的尺寸来设定所述第二晶体管的尺寸以便所述第二阀值电压高于所述第一阀值电压。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述切换装置包含第三晶体管和第四晶体管。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第三晶体管包含耦合至第一信号的端子，且所述第四晶体管包含耦合至所述第一信号的逻辑反相的端子，其中基于所述第一和第二信号，所述第一晶体管或所述第二晶体管大体上不传导电流。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第一和第二信号依赖于工艺或温度条件。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第三晶体管耦合至所述第一晶体管且所述第四晶体管耦合至所述第二晶体管。

19.根据权利要求11所述的方法，其中在标称或慢工艺，或标称或低温度下，所述第一晶体管大体上不传导电流且所述第二晶体管传导电流。

20.根据权利要求11所述的方法，其中在快工艺或高温度下，所述第二晶体管大体上不传导电流且所述第一晶体管传导电流。