[发明专利]差分放大器电路、使用其的数据线驱动器及液晶显示设备无效

专利信息
申请号: 201010221341.3 申请日: 2010-06-30
公开(公告)号: CN101989841A 公开(公告)日: 2011-03-23
发明(设计)人: 西村浩一;村田俊一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H03F3/45 分类号: H03F3/45;G09G3/36;G09G3/20
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 孙志湧;安翔
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 差分放大器 电路 使用 数据线 驱动器 液晶显示 设备
【权利要求书】:

1.一种差分放大器电路,包括:

NMOS晶体管对,所述NMOS晶体管对与正相输入端子和反相输入端子相连接;

PMOS晶体管对,所述PMOS晶体管对与所述正相输入端子和所述反相输入端子相连接;以及

输出电路部件,

其中所述PMOS晶体管对包括第一和第二PMOS晶体管,

其中所述NMOS晶体管对包括:作为其中沟道区域被没有P阱地形成在P型衬底中的耗尽型NMOS晶体管的第一和第二非掺杂型NMOS晶体管,并且

其中所述输出电路部件包括与所述第一和第二非掺杂型NMOS晶体管相连接的折叠级联型的第一电流镜,并且响应于来自所述第一电流镜的电流而输出输出电压。

2.根据权利要求1所述的差分放大器电路,其中所述非掺杂型NMOS晶体管的阈值电压处于-0.2至0V的范围内。

3.根据权利要求1或者2所述的差分放大器电路,其中所述第一电流镜包括第三至第六PMOS晶体管,

其中所述第三和第四PMOS晶体管具有被共同地连接至电源线的源极、被共同地连接的栅极、以及分别与所述第五和第六PMOS晶体管的源极相连接的漏极,

其中第一偏置电压被共同地施加给所述第五和第六PMOS晶体管的栅极,

其中所述第五PMOS晶体管的漏极被共同地连接至所述第三和第四PMOS晶体管的栅极,

其中所述第一和第二非掺杂型NMOS晶体管具有被共同地连接至第一电流源的源极,分别与所述第四和第三PMOS晶体管的漏极相连接的漏极,以及分别与所述正相输入端子和所述反相输入端子相连接的栅极,并且

其中所述输出电路部件响应于从第六PMOS晶体管流动的电流而生成所述输出电压。

4.根据权利要求3所述的差分放大器电路,其中所述输出电路部件进一步包括:

第二电流镜,所述第二电流镜与所述第一和第二PMOS晶体管相连接;

浮置电流源,所述浮置电流源被连接在所述第一电流镜和所述第二电流镜之间;

第一输出晶体管,所述第一输出晶体管作为具有与输出端子相连接的漏极和与所述浮置电流源的一端相连接的栅极的PMOS晶体管,所述输出电压从所述输出端子输出;以及

第二输出晶体管,所述第二输出晶体管作为具有与所述输出端子相连接的漏极和与所述浮置电流源的另一端相连接的栅极的NMOS晶体管。

5.根据权利要求4所述的差分放大器电路,其中所述第二电流镜包括第三至第六NMOS晶体管,

其中所述第三和第四NMOS晶体管具有被共同地连接至接地线的源极、被共同地连接的栅极、以及分别与所述第五和第六NMOS晶体管的源极相连接的漏极,

其中第二偏置电压被提供给所述第五和第六NMOS晶体管的栅极,

其中所述第五PMOS晶体管的漏极被共同地连接至所述第三和第四PMOS晶体管的栅极,

其中所述第一和第二PMOS晶体管分别具有被共同地连接至第二电流源的源极、与所述第四和第三NMOS晶体管的漏极相连接的漏极、以及与所述正相输入端子和所述反相输入端子相连接的栅极,

其中第三电流源被连接在所述第五NMOS晶体管的漏极和所述第五PMOS晶体管的漏极之间,

其中所述浮置电流源包括第七PMOS晶体管和第七NMOS晶体管,所述第七PMOS晶体管具有被提供有第三偏置电压的栅极,所述第七NMOS晶体管具有被提供有第四偏置电压的栅极,

其中所述第七PMOS晶体管具有与所述第六PMOS晶体管的漏极相连接的源极和与所述第七NMOS晶体管相连接的漏极,并且

其中所述第七NMOS晶体管具有与所述第六PMOS晶体管的漏极相连接的漏极和与所述第六NMOS晶体管的漏极相连接的源极。

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