[发明专利]一种改良口腔CAD/CAM氧化锆全瓷材料半透性的工艺无效
| 申请号： | 201010220469.8 | 申请日： | 2010-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101926734A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李伟;廖运茂;蒋丽;赵永旗 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | A61K6/027 | 分类号： | A61K6/027;C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 李高峡 |
| 地址： | 610041 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改良 口腔 cad cam 氧化锆 材料 半透性 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种改良口腔CAD/CAM氧化锆全瓷材料半透性的工艺，它包括如下步骤：
a、采用反向共沉淀法制备纳米氧化锆粉体；
b、加入有机粘合剂造粒；
c、在20-30Mpa条件下，干压成型，再经200-250MPa静压处理，预成坯体；
d、烧结：从室温烧结到200-800℃时通氧，烧结到1250℃，保温30分钟，然后升至最终烧结温度1400-1550℃，保温时间2h，升温速率为200℃/h，获得具有半透性的氧化锆全瓷材料。
2.根据权利要求1所述的改良工艺，其特征在于：a步骤所述的粉体的平均粒度≤40nm。
3.根据权利要求1所述的改良工艺，其特征在于：b步骤所述的有机粘合剂为聚乙烯醇；所述的造粒方法为喷雾干燥法。
4.根据权利要求1或3所述的改良工艺，其特征在于：b步骤所述的粒径为50微米±10微米。
5.根据权利要求1所述的改良工艺，其特征在于：c步骤所述的干压成型和静压处理的时间为1分钟。
6.根据权利要求1所述的改良工艺，其特征在于：d步骤所述的最终烧结温度1400-1500℃。
7.权利要求1-6任意一项所述的改良工艺制备的口腔CAD/CAM氧化锆全瓷材料。
8.根据权利要求7所述的氧化锆全瓷材料，其特征在于：所述的氧化锆底层材料的可见光积分透射率为17.50-18.01％。
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