[发明专利]非易失性存储器单元有效
| 申请号： | 201010219643.7 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101937708A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 穆罕默德·包特齐薛 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种非易失性存储器单元，包括：
一开关元件，于一设定位置和一重新设定位置之间移动；
一磁铁，用以施加一磁场以移动该开关元件至该设定位置；以及
多个加热元件，使该开关元件回到该重新设定位置。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器单元，还包括一第一接触，其中位于该设定位置中的该开关元件电性连接至该第一接触，且位于该重新设定位置中的该开关元件不电性连接至该第一接触。
3.如权利要求2所述的非易失性存储器单元，其中该第一接触具有磁性。
4.如权利要求3所述的非易失性存储器单元，其中该第一接触包括多个铁磁性材料条状物。
5.如权利要求1、2、3或4所述的非易失性存储器单元，其中所述加热元件包括一电流源用以对该开关元件或该第一接触施加电流。
6.如权利要求1、2、3或4所述的非易失性存储器单元，其中该开关元件包括一铁磁性机械弯曲物或一螺旋物。
7.如权利要求1、2、3或4所述的非易失性存储器单元，其中该开关元件包括一形状记忆合金。
8.如权利要求7所述的非易失性存储器单元，其中该形状记忆合金包括一铁磁性材料。
9.如权利要求7所述的非易失性存储器单元，其中该形状记忆合金的马氏体相变温度介于绝对温度300度至350度之间。
10.如权利要求9所述的非易失性存储器单元，其中该形状记忆合金包括NiMaGa或TiNiCu。
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