[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体组件

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，包括：

一基底，具有一上表面与一下表面；

一柵极介电层，设置于该基底的该上表面上；

一柵极多晶硅层，设置于该柵极介电层上；

一源极区与一漏极区，均具有一第一导电类型，并分别设置于该柵极多晶硅层的相对两侧的该基底中；

一基体区，具有一第二导电类型，包覆该源极区并延伸至该柵极多晶硅层下方的该基底中；

一第一漏极接触插塞，设置于该漏极区相对于该源极区的一侧的该基底中，且该第一漏极接触插塞与该漏极区相接触；

一源极多晶硅层，设置于该漏极区上方的该柵极介电层上

一绝缘层，设置于该基底上并覆盖该柵极多晶硅层、该源极多晶硅层以及该柵极介电层；以及

一源极金属层，设置于该绝缘层上。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，另包括一第一源极接触插塞，贯穿该绝缘层，以电性连接该源极金属层与该源极区。

3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，另包括一第二源极接触插塞，设置于该绝缘层中，以电性连接该源极金属层与该源极多晶硅层。

4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，另包括一沟道设置于邻近该下表面的该基底中且位于该第一漏极接触插塞的下方。

5.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，另包括一第一漏极金属层设置于该基底的该下表面上并填满该沟道，且该第一漏极金属层与该第一漏极接触插塞电性连接。

6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，另包括一第二漏极金属层设置于该绝缘层上。

7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，另包括一第二漏极接触插塞，贯穿该绝缘层，以电性连接该第二漏极金属层与该第一漏极接触插塞。

8.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，另包括一重掺杂基体区，具有该第二导电类型，设置于该源极区下方的该基体区中。

9.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该漏极区包括一轻掺杂漏极区，且该轻掺杂漏极区的一面为该基底的该上表面。

10.如权利要求9所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该漏极区另包括一重掺杂漏极区，且该重掺杂漏极区分别与该轻掺杂漏极区以及该第一漏极接触插塞相接触。

11.如权利要求10所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该漏极区另包括一深漏极区，且该深漏极区设置于该重掺杂漏极区的一侧，并且该深漏极区分别与该重掺杂漏极区以及该轻掺杂漏极区相接触。

12.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该基底具有该第一导电类型。

13.如权利要求12所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该基底另包括一深掺杂区，具有该第二导电类型，且该漏极区与该基体区均设置于深掺杂区中。

14.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该基底具有该第二导电类型。

15.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该基底包括一磊晶层与一基底层，且该磊晶层位于邻近该基底的该上表面的一侧，而该基底层位于邻近该基底的该下表面的一侧，并且该源极区、该漏极区、与该基体区设置于该磊晶层中。

16.如权利要求15所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该磊晶层具有该第二导电类型，而该基底层具有该第一导电类型。

17.如权利要求15所述的横向扩散金属氧化物半导体组件，其特征在于，该磊晶层具有该第一导电类型，而该基底层具有该第一导电类型。