[发明专利]一种应变沟道场效应晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括衬底、源漏、栅介质层和栅极，其特征在于，所述源漏与衬底之间有“L”形的复合隔离层，包住源漏靠近沟道一边的部分侧面和源漏底部，该复合隔离层又分为两层，即与衬底直接接触的“L”形绝缘薄层和与源漏直接接触的“L”形高应力层。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述“L”形绝缘薄层的材料为二氧化硅或氮氧化硅。

3.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述“L”形绝缘薄层的厚度为0.5～20纳米。

4.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述“L”形高应力层的材料为高应力氮化硅或者高应力类金刚石碳。

5.如权利要求1所述的场效应晶体管，其特征在于，所述“L”形高应力层的厚度为5～200纳米。

6.一种权利要求1所述场效应晶体管的制备方法，包括如下步骤：

1)在衬底上淀积并刻蚀形成牺牲氧化硅栅，以牺牲氧化硅栅为掩膜刻蚀衬底获得源漏区凹槽；

2)通过低温热氧化或淀积的方式在源漏区凹槽表面形成绝缘薄层，在绝缘薄层上淀积高应力材料形成高应力层；

3)在高应力层上淀积牺牲多晶硅层，并选择腐蚀牺牲多晶硅层至“L”形复合隔离层的设计高度位置；

4)以牺牲多晶硅层为保护层，选择腐蚀高应力层；然后去除牺牲多晶硅层，以高应力层为保护层选择腐蚀绝缘薄层，得到“L”形的由绝缘薄层和高应力层组成的复合隔离层；

5)以露出的沟道区窗口为籽晶层外延获得源漏区，并进行轻掺杂注入，然后淀积氮化硅层做保护进行源漏注入；

6)继续淀积氮化硅层，并以牺牲氧化硅栅为停止层化学机械抛光氮化硅层；

7)去除牺牲氧化硅栅，低温热氧化获得栅介质层，然后淀积多晶硅层，以氮化硅层为停止层化学机械抛光获得多晶硅栅。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤2)通过低温热氧化形成二氧化硅绝缘薄层。

8.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘薄层的厚度为0.5～20纳米。

9.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述高应力材料是高应力氮化硅或高应力类金刚石碳。

10.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述高应力层的厚度为5～200纳米。