[发明专利]一种用于太赫兹波调制的结构材料无效
| 申请号： | 201010218977.2 | 申请日： | 2010-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101943803A | 公开（公告）日： | 2011-01-12 |
| 发明（设计）人： | 文岐业;张怀武;杨青慧;刘颖力;李元勋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 赫兹 调制 结构 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于太赫兹波调制的结构材料，包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其特征在于，所述介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板；所述电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。
2.根据权利要求1所述的用于太赫兹波调制的结构材料，其特征在于，所述电磁共振器单元的形状是任意现有各种电磁共振器单元的形状。
3.根据权利要求1所述的用于太赫兹波调制的结构材料，其特征在于，所述二氧化钒薄膜的厚度在0.1～1微米之间，其沉积工艺可采用现有的各种薄膜沉积工艺。
4.根据权利要求1所述的用于太赫兹波调制的结构材料，其特征在于，所述对太赫兹波高度透明的介质材料基板是石英玻璃基板，其厚度在300～1000微米之间。
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