[发明专利]一种太阳能电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池结构，包括电池基片，所述电池基片的迎光面上设置有SiNx减发射钝化层，其特征在于，

所述SiNx减反射钝化层包括m(m为整数且m≥3)层SiNx膜结构；其中，

第一层膜结构设置在所述电池基片上，第二层膜结构设置在所述第一层膜结构上...第m层膜结构设置在第m-1层膜结构上；

所述第二层膜结构的折射率小于所述第一层膜结构的折射率...所述第m层膜结构的折射率小于所述第m-1层膜结构的折射率。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述m为三或四。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池结构，其特征在于，

所述m为四；

所述第一层膜结构的折射率为2；

所述第二层膜结构的折射率为2.08；

所述第三层膜结构的折射率为2.05；

所述第四层膜结构的折射率为2.0。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池结构，其特征在于，

所述m为三；

所述第一层膜结构的折射率为2.09；

所述第二层膜结构的折射率为2.07；

所述第三层膜结构的折射率为2.03。

5.一种太阳能电池结构的制备方法，包括在电池基片迎光面上设置SiNx减反射钝化层的步骤，其特征在于，在所述电池基片的迎光面上设置SiNx减反射钝化层的方法包括：

采用等离子体沉积技术，在第一气体流量配比、第一压力的条件下，在所述电池基片上沉积所述SiNx减反射钝化层的第一层膜结构；

在第一退火温度下，对所述第一层膜结构进行退火处理；

在第二气体流量配比，第二压力的条件下，在所述第一层膜结构上沉积第二层膜结构，使所述第二层膜结构的折射率小于所述第一层膜结构的折射率；

在第二退火温度下，对所述第二层膜结构进行退火处理；其中，所述第二退火温度大于所述第一退火温度；

...

在第M(M为整数且M≥3)气体流量配比，第M压力的条件下，在所述第M-1层膜结构上沉积第M层膜结构，使所述第M层膜结构的折射率小于所述M-1膜结构的折射率；

在第M退火温度下，对所述第M层膜结构进行退火处理；其中，所述第M退火温度大于所述第M-1退火温度。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，

所述第二气体流量配比SiH₄/NH₃小于第一工艺气体流量配比SiH₄/NH₃，所述第二压力小于所述第一压力；

所述第M气体流量配比SiH₄/NH₃小于第M-1工艺气体流量配比SiH₄/NH₃，所述第M压力小于第M-1压力。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，还包括：

预先根据光学增透条件和每层所述膜结构增透的特定波段获得每层所述膜结构对应的折射率和厚度范围；

根据每层所述膜结构对应的厚度和折射率范围设计每层膜结构的工艺参数。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述进行退火处理包括：

关闭等离子体激发功率，在特定的工艺气体流量配比的条件下，进行退火处理。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

所述M为四；

第一气体流量配比SiH₄/NH₃为4，第一压力为70帕(Pa)，第一退火温度为400度；

第二气体流量配比SiH₄/NH₃为3.6，第二压力为60Pa，第二退火温度为450度；

第三气体流量配比SiH₄/NH₃为3.2，第三压力为50Pa，第三退火温度为500度；

第四气体流量配比SiH₄/NH₃为2.8，第四压力为40Pa，第四退火温度为550度。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，

所述M为三；

第一气体流量配比SiH₄/NH₃为3.8，第一压力为65Pa，第一退火温度为450度；

第二气体流量配比SiH₄/NH₃为3.4，第二压力为55Pa，第二退火温度为500度；

第三气体流量配比SiH₄/NH₃为3，第三压力为45Pa，第三退火温度为550度。