[发明专利]磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法

权利要求书

1.一种磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，包括如下步骤：

步骤1：选择一n+型GaAs单晶片作为衬底；

步骤2：在衬底上依次生长n型GaAs层和本征GaAs缓冲层；

步骤3：在本征GaAs缓冲层上生长多个周期的量子点结构，作为电池的i吸收层；

步骤4：在多个周期的量子点结构上依次生长p型GaAs层、p+型GaAs层、Al_0.4Ga_0.6As层和ZnS/MgF₂层；

步骤5：在ZnS/MgF₂层上生长并制作上金属电极；

步骤6：在衬底10的下表面制作下金属电极；

步骤7：对电池组件进行封装，完成太阳电池的制作。

2.根据权利要求1所述的磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，其中多个周期的量子点结构的每一周期包括：

一InAs量子点层，在InAs量子点层上依次生长第一GaAs间隔层、Ga_xAl_1-xP应力补偿层和第二GaAs间隔层。

3.根据权利要求1所述的磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，其中多个周期的量子点结构的周期数小于150。

4.根据权利要求1所述的磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，其中所述的多个周期的量子点结构中的InAs量子点层的沉积厚度介于1.5到3个原子单层，生长温度介于430℃和530℃之间。

5.根据权利要求1所述的磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，其中所述的多个周期的量子点结构中的Ga_xAl_1-xP应力补偿层的厚度介于1到5个原子单层，生长温度介于500℃到800℃之间；Ga_xAl_1-xP应力补偿层与上下两层InAs量子点层的距离大于5nm，Ga_xAl_1-xP应力补偿层中的x取值范围0＜x＜1。

6.根据权利要求1所述的磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，其中第一GaAs间隔层和第二GaAs间隔层的生长温度高于InAs量子点层的生长温度，但小于630℃，第一GaAs间隔层和第二GaAs间隔层的厚度小于30nm。

7.根据权利要求1所述的磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法，其中步骤2-步骤6是采用分子束外延法或金属有机化学沉积法。