[发明专利]光刻版及其套刻方法无效

专利信息
申请号: 201010216098.6 申请日: 2010-07-02
公开(公告)号: CN102314073A 公开(公告)日: 2012-01-11
发明(设计)人: 黄玮 申请(专利权)人: 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
主分类号: G03F1/44 分类号: G03F1/44;G03F1/42;G03F7/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 光刻 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻版,包括一套刻测试图形区域,其特征在于:所述套刻测试图形区域包括一芯片区域、一对设置于所述芯片区域外围的可配合第一倍率光刻机进行对版的第一对版标记,以及一对设置于芯片区域外围的可配合第二倍率光刻机进行对版的第二对版标记,其中所述第一倍率光刻机倍率大于所述第二倍率光刻机倍率。

2.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于:所述一对第一对版标记分别对称设置于所述芯片区域的左右两侧,所述一对第二对版标记分别对称设置于所述芯片区域的上下两侧。

3.根据权利要求2所述的光刻版,其特征在于:所述第一对版标记和所述第二对版标记以所述光刻版的中心为原点对称设置。

4.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于:所述第一倍率光刻机图形均为外框,所述第二倍率光刻机的图形均为内框。

5.一种光刻版的套刻方法,其特征在于,包括以下步骤:

第一、将所述光刻版正常装入第一倍率光刻机,对光刻版上设置的至少一对第一对版标记和至少一对第二对版标记进行第一次曝光;

第二、将光刻版旋转90度后,装入第二倍率光刻机对所述至少一对第一对版标记和所述至少一对第二对版标记进行第二次曝光;

第三、将第一次曝光后的光刻版缩小至1X测试图形放置于圆片上;

第四、将第二次曝光后的光刻版缩小至1X测试图形放置于圆片上,并和第一次曝光的测试图形叠对;

第五、进行套刻测试数据测量进行套刻。

6.根据权利要求5所述的套刻方法,其特征在于:所述第一倍率光刻机的倍率为a,第二倍率光刻机的倍率为b,圆片测试图形中心坐标为(x,y),所述至少一对第一对版标记之一相对所述光刻版中心点坐标为(ax,ay),所述至少一对第二对版标记之一相对所述光刻版中心点坐标为(bx,by),且所述(ax,ay)和所述(bx,by)间设有间距。

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