[发明专利]微碱性蓝宝石抛光液及其制备方法有效
申请号: | 201010215841.6 | 申请日: | 2010-06-25 |
公开(公告)号: | CN101870853A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 孙韬 | 申请(专利权)人: | 孙韬 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02 |
代理公司: | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人: | 江平 |
地址: | 226600 江苏省南通市海安县开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碱性 蓝宝石 抛光 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及蓝宝石的抛光技术领域,特别是对表面的精抛的抛光液技术。
背景技术
当前市场上的蓝宝石精抛抛光液主要以硅溶胶做抛光摩擦剂。在碱性料件下,硅溶胶的水和氧化硅与蓝宝石表面形成硅酸铝,在机械力的帮助下将坚硬的蓝宝石进行切削、抛光。现在市场上的蓝宝石抛光液固含量高,且效率低,在抛光工艺过程中容易板结,并容易在蓝宝石表面风干,不宜于后续的清洗工艺。传统蓝宝石抛光液的切削率随pH增大而增大。
发明内容
本发明目的在于发明一种抛光效率高、抛光寿命长,抛光过程中不易出现板结、利于后续清洗的高效高精度蓝宝石抛光液。
本发明的有效成份包括粒径为3~300nm的纳米硅溶胶、络和剂和表面活性剂,pH值为7~9.5。
本发明中通过合适的pH值控制抛光液的电导率其实现最优化的抛光性能,采用合理的原料通过化学增强法提高切削速率,配合络和化学增强抛光液的平化效率,有机地改进流体力学性能。该产品可稀释比例高,产品抛光效率高,稳定性强,不易在抛光机以及抛光产料表面沉积,其独特的流体性能在抛光后不宜在蓝宝石表面风干,大大降低了后续清洗工艺的负担。本发明产品与传统蓝宝石抛光液不同,在合理配方调节条件下,蓝宝石抛光切削率,随pH 10.5下降而增高。
为了进一步提高产品的性能,所述纳米硅溶胶、络和剂、表面活性剂分别占抛光液总质量的0.5%~40%、0.05%~2%、0.0002%~2.6%。
所述纳米硅溶胶的粒径优选为15~80nm。
所述pH值优选为7~9。
本发明另一目的在于发明一种制备上述抛光液的制备方法:
先将粒径为3~300nm的纳米硅溶胶颗粒悬浮在水中,再加入络和剂到悬浮液中,然后再加入表面活性剂,最后将悬浮液的pH值调整到7~9.5。
投料时,纳米硅溶胶、络和剂、表面活性剂分别占抛光液总质量的0.5%~40%、0.05%~2%、0.0002%~2.6%。
所述纳米硅溶胶的粒径为15~80纳米。
本发明方法简单、合理,易于生产,产品稳定性好。
本发明所述络和剂可以为柠檬酸钾,或四甲基氢氧化铵,或甘氨酸中的至少一种。
所述表面活性剂可以为硅烷聚二乙醇醚,或聚二乙醇醚,或十二烷基乙二醇醚中的至少一种。
具体实施方式
一、实施例1:
称取100克、粒径约15nm、固含量30%的硅溶胶,加入882克水中,室温下搅拌均匀。再加入柠檬酸钾5.0克,进一步搅匀。继续加入8.0克的硅烷聚二乙醇醚。最后用碳酸钾将pH调到9.5,配成抛光液1000克。
将所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压:2psi,下盘以及载盘转速50RPM,抛光液流速:100ml/分钟。该抛光液抛光速率为31.2纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。
二、实施例2:
称取50克、粒径约50纳米、固含量50%的硅溶胶,加入1822克水中,室温下搅拌均匀。再加入2克四甲基氢氧化铵,进一步搅匀。继续加入1.5克的聚二乙醇醚。最后用碳酸钾将pH分别调到7.5、8.2、8.8、9.5、10.5。分别配成五份抛光液1900克。
将所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压:2psi,下盘以及载盘转速50RPM,抛光液流速:100ml/分钟。该抛光液抛光速率分别为在pH 7.5、8.2、8.8、9.5、10.5时相应的切削率为72.9、103.1、88.3、66.2、39.8纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。
三、实施例3:
称取150克、粒径约50纳米、固含量50%的硅溶胶,加入1722克水中,室温下搅拌均匀。再加入0.5克四甲基氯化铵,1克柠檬酸钾,进一步搅匀。继续加入1克的聚二乙醇醚。最后用硫酸铜将pH调到8.5,配成抛光液1900克。
所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压:2psi,下盘以及载盘转速50RPM,抛光液流速:100ml/分钟。该抛光液抛光速率为97.9纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。
四、实施例4:
称取400克、粒径约15纳米、固含量30%的硅溶胶,加入1502克水中,室温下搅拌均匀。再加入0.5克四甲基氢氧化铵以及0.3克甘氨酸,进一步搅匀。继续加入50克的十二烷基乙二醇醚。最后用硫酸铜将pH调到8.2。配成抛光液1980克。最终电导率为35.8μs。
所制样品在Logitech CDP单面抛光机上抛光。下压:2psi,下盘以及载盘转速50RPM,抛光液流速:100ml/分钟。该抛光液抛光速率为30.2纳米/分钟。抛光机以及抛光产料表面无沉积。
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