[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成刻蚀停止层、半导体层以及绝缘层；

在所述绝缘层上形成碳纳米管层；

去除衬底以及刻蚀停止层，以碳纳米管层为替代衬底；以及

在所述半导体层上形成预定器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述碳纳米管层的步骤包括：在绝缘层上形成金属催化剂层，而后进行化学气相淀积。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体层的厚度为50至100nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘层的厚度为10至50nm。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述碳纳米管层的厚度为1至10mm。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述预定器件包括晶体管、二极管、层间介质层或其他半导体组件。

7.一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供SOI衬底，所述SOI衬底包括顶层硅、埋氧化层以及背衬底；

在所述衬底的顶层硅上形成绝缘层；

在所述绝缘层上形成碳纳米管层；

去除所述背衬底以及埋氧化层，以碳纳米管层为替代衬底；以及

在所述顶层硅上形成预定器件。

8.根据权利要求7所述的方法，其中形成所述碳纳米管层的步骤包括：在绝缘层上形成金属催化剂层，而后进行化学气相淀积。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其中所述碳纳米管层的厚度为1至10mm。

10.根据权利要求7所述的方法，其中所述绝缘层的厚度为10至50nm。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述预定器件包括晶体管、二极管、层间介质层或其他半导体组件。

12.一种半导体器件，所述器件包括：

衬底，所述衬底为碳纳米管层；

形成于所述碳纳米管层上的绝缘层；

形成于绝缘层上的半导体层；

形成于半导体层上的预定器件。

13.根据权利要求12所述的器件，其中所述碳纳米管层的厚度为1至10mm。

14.根据权利要求12所述的器件，其中所述绝缘层的厚度为10至50nm。

15.根据权利要求12所述的器件，其中所述预定器件包括晶体管、二极管、层间介质层或其他半导体组件。