[发明专利]使用次粘着基板制造发光二极管的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种使用次粘着基板制造发光二极管的方法，更具体而言，涉及一种使用次粘着基板制造发光二极管的方法，其将发光二极管芯片(LEDchip)粘着于次粘着基板(submount substrate)上的状态下，在执行萤光体涂布步骤之后，进行封装而制造发光二极管。

背景技术

现有的发光二极管元件的制造方法为如下。首先，以蓝宝石等的材料制造发光二极管芯片1。接着，如图1所示，将各发光二极管芯片1粘着(attaching)于载具2内部。接着，将发光二极管芯片1与载具2以导线4电性连接。再来，将混合萤光物质的硅3涂布于发光二极管芯片1的周围。此涂布的萤光物质用于调节发光二极管芯片1所产生的光的光学特性。一般来说，以1931年国际照明协会(International Commission on Illumination；CIE)的表色系上的值来表示发光二极管元件的光学特性。

在制造发光二极管芯片的制程中，透过半导体层厚度的调节或萤光物质涂布量的调节等方法，可制造出具有所需表色系光学特性的发光二极管元件。

但是，如图1所示的现有的发光二极管制造方法，在将发光二极管芯片1安装于载具2内部之后，将混合萤光物质的硅3分别分送于载具2，造成制程繁琐且难以提高生产力。并且，难以将正确量的硅涂布于各发光二极管元件。

此外，如图1所示的现有的发光二极管制造方法，在载具2内位于发光二极管芯片1周围的硅3的厚度不一致，即不同的位置分别有不同的厚度，这使发光二极管元件的光学特性不佳。换句话说，离发光二极管元件近距离的位置会产生整体上无色差而具有均一表色系值的光。但是，若在离发光二极管元件远距离的地点进行测定表色系的话，表色系值将随着照射区域的不同而改变，因而产生分色现象。

另外，如图2与图3所示，发光二极管芯片可依发光方向区分为：如图2所示的往厚度方向发光的发光二极管芯片5；以及如图3所示的往宽度方向发光的发光二极管芯片6。

尤其，若对如图3所示的发光二极管芯片6以如图1所示的方法涂布萤光物质的话，将产生更大的分色现象。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供：一种透过改善将混合萤光物质的硅涂布于发光二极管芯片的制程，可提高发光二极管元件的生产力的制造方法；以及一种透过将混合萤光物质的硅均匀地涂布于发光二极管芯片的表面，从而不管发光二极管芯片所产生的光照射到的任何位置，皆可具有均一的表色系值，而不会产生分色现象的发光二极管元件的制造方法。

【解决上述问题的方式】

为实现上述目的，本发明所提供的使用次粘着基板制造发光二极管的方法，包括：芯片粘着步骤，将多个发光二极管芯片分别粘着于多个次粘着基板；萤光体涂布步骤，将混合萤光物质的硅涂布于芯片粘着步骤完成的次粘着基板与发光二极管芯片；基板切断步骤，将萤光体涂布步骤完成的次粘着基板以各发光二极管芯片为单位切断；以及封装步骤，将基板切断步骤完成的次粘着基板粘着于载具并与载具电性连接。

【发明的效果】

依据本发明，透过改善将混合萤光物质的硅涂布于发光二极管芯片的制程，可提高发光二极管制造方法的生产力。

并且，依据本发明，透过将涂布于发光二极管芯片的硅的厚度均匀化，可改善发光二极管元件的光学特性。

附图说明

图1是以一种现有发光二极管制造方法所制作的发光二极管元件的剖面图。

图2与图3是说明发光二极管芯片的发光方向的剖面图。

图4是本发明实施例的一种使用次粘着基板制造发光二极管的方法的步骤图。

图5是以图4所示的使用次粘着基板制造发光二极管的方法所制作发光二极管元件的次粘着基板的俯视图。

图6是图5所示的次粘着基板的局部剖面图。

图7是图5所示的次粘着基板的硅涂布制程的俯视图。

图8是图7所示的次粘着基板的局部剖面图。

图9是以图4所示的使用次粘着基板制造发光二极管的方法所制作的发光二极管元件的剖面图。

【主要元件符号说明】

S100：芯片粘着步骤

S200：萤光体涂布步骤

S300：测试步骤

S400：硅补充步骤

S500：基板切断步骤

S600：封装步骤

S700：包装步骤

1、5、6、10：发光二极管芯片

20：次粘着基板

3、30：硅

31：坝

32：被坝包围的部分

2、40：载具

4、41：导线