[发明专利]利用半导体量子点制造彩色太阳电池的方法

权利要求书

1.一种利用半导体量子点制造彩色太阳电池的方法，包括：玻璃盖板、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层、电池片以及位于电池片下方的保护材料层的制备，其特征在于，在所述的玻璃盖板的下表面、所述的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层的表面或电池片的上表面，涂覆由半导体量子点分散在有机溶剂中形成的墨水，有机溶剂挥发后，形成均匀覆盖的半导体量子点层，再通过光子的激发，使半导体量子点层发光形成太阳电池呈现色彩区域；再进行封装。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：半导体量子点的平均尺寸为1-10纳米，尺寸分布的标准偏差小于平均尺寸的30％。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：用于激发半导体量子点的单个光子能量大于3电子伏特。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层的表面为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层的上表面或下表面。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述的玻璃盖板的下表面或乙烯-醋酸乙烯酯共聚物层的上表面，涂覆由半导体量子点分散在有机溶剂中形成的墨水，有机溶剂挥发后，形成均匀覆盖的半导体量子点层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：采用丝网印刷、滴液涂覆、喷墨印刷，真空涂覆、旋转涂覆、对流涂覆或毛刷涂覆的方式将半导体量子点覆盖在太阳电池需要呈现色彩的区域。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的墨水中的半导体量子点的溶度为0.1～50g/L。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的覆盖在太阳电池所需呈现色彩区域的半导体量子点层的厚度为1～300纳米。

9.如权利要求1～8任一所述的方法制得的彩色太阳电池。

10.如权利要求9所述的彩色太阳电池在节能型夜间景观装置中的应用。