[发明专利]调控杏黄兜兰生长繁殖的方法有效

专利信息
申请号: 201010211608.0 申请日: 2010-06-29
公开(公告)号: CN101889530A 公开(公告)日: 2010-11-24
发明(设计)人: 严宁;牟宗敏;胡虹;李树云 申请(专利权)人: 中国科学院昆明植物研究所
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;C05C5/02;C05C5/04
代理公司: 云南协立专利事务所 53108 代理人: 马晓青
地址: 650204 *** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 调控 杏黄 兜兰 生长 繁殖 方法
【权利要求书】:

1.调控杏黄兜兰生长繁殖的方法,以杏黄兜兰为材料,在温室条件下施用适合壮苗或侧芽生长或延长花期或促进蒴果生长的相应氮浓度的氮肥进行栽培,调控其营养和繁殖生长。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于适合壮苗氮浓度的氮肥为0.51g/LKNO3+0.82g/L Ca(NO3)2

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于适合侧芽生长氮浓度的氮肥为0.25g/LKNO3+0.41g/L Ca(NO3)2

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于延长杏黄兜兰花期是在开花前停止施用氮肥。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于促进蒴果生长,获得鲜重高蒴果氮浓度的氮肥为0.51g/LKNO3+0.82g/L Ca(NO3)2

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于栽培是以干苔藓为基质,18g/盆,每盆苔藓以220ml加入有适合壮苗或侧芽生长或延长花期或促进蒴果生长的相应氮浓度的Hoagland营养液浸湿至无营养液剩余后,栽入杏黄兜兰植株;从每年8月起至次年9月蒴果完全成熟时,每月浇灌一次适合壮苗或侧芽生长或延长花期或促进蒴果生长的相应氮浓度的Hoagland营养液,每次25ml;在温室中培养温度为24-26℃,湿度为60-70%;在苔藓表面干燥时,用喷雾器浇水,少量多次,以无液体从盆底漏出为准,防止营养液流失。

7.如权利要求1-6任一所述的方法,其特征在于施用0.51g/LKNO3+0.82g/L Ca(NO3)2氮肥促进杏黄兜兰植株叶片生长,从而壮苗,为开花繁殖做准备;施用0.25g/LKNO3+0.41g/L Ca(NO3)2氮肥增强无性繁殖促进侧芽的营养生长;在杏黄兜兰开花前停止施用氮肥延长杏黄兜兰花期;施用O.51g/LKNO3+O.82g/L Ca(NO3)2的氮肥促进蒴果生长,获得鲜重高的蒴果;栽培以干苔藓为基质,18g/盆,每盆苔藓以220ml适合壮苗或侧芽生长或延长花期或促进蒴果生长的相应氮浓度的Hoagland营养液浸湿至无营养液剩余后,栽入杏黄兜兰植株;从每年8月起至次年9月蒴果完全成熟时,每月浇灌一次适合壮苗或侧芽生长或延长花期或促进蒴果生长的相应氮浓度的Hoagland营养液,每次25ml,在温室中培养温度为24-26℃,湿度为60-70%;在苔藓表面干燥时,用喷雾器浇水,少量多次,以无液体从盆底漏出为准,防止营养液流失。

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