[发明专利]灵活的低电流多相振荡器

权利要求书

1.一种振荡器装置，其特征在于，包含：

一个具有一个参考电流源I_ref和一个第一参考晶体管T_ref的参考级；所述第一参考晶体管T_ref的栅极耦合到一参考电压上V_ref’，漏极耦合到参考电流源I_ref上；以及

含有一个第一和一个最后位相级的两个或多个位相级，其中每个位相级包含：

一个相晶体管，其漏极耦合到一第一电流源，栅极耦合到一节点，源极耦合到第一参考晶体管的源极上；

一个第二电流源，其耦合到所述节点上；

一个电容器，具有一个耦合到所述节点上的第一端和一个第二端；

一个耦合在所述电容器的第一端和第二端之间的开关；以及

一个逻辑块，用于当所述节点处的电压超过参考电压V_ref时，为后面的位相级闩锁开关和关闭开关。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述每个逻辑块还包含一个置位-复位闩锁，以及一个耦合到置位-复位闩锁的置位输入端的单次计时器。

3.如权利要求1所述的振荡器装置，其特征在于，所述参考级还包含一个第二参考晶体管T_ref’，用于提供负反馈，探测所需电流以及改变供给电流。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述每个位相级中的开关都是一个场效应管。

5.如权利要求4所述的装置，其特征在于，所述逻辑块还包含一个置位-复位闩锁，并且置位-复位闩锁的输出端耦合到所述的场效应管开关的栅极上。

6.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述的开关和晶体管皆为n-沟道MOS晶体管。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述的开关的源极和第二参考晶体管的源极都接地。

8.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述开关和晶体管为p-沟道MOS晶体管。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述开关的源极和第二参考晶体管的源极都耦合到电压Vcc上。

10.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两个或多个位相级仅含有第一位相级和最后位相级，因此该装置为双相振荡器。

11.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两个或多个位相级仅含有第一位相级和最后位相级，以及一个中间位相级，所述的中间位相级在第一位相级的后面，最后位相级的前面，因此该装置为三相振荡器。

12.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述两个或多个位相级仅含有第一位相级和最后位相级，一个第一中间位相级在第一位相级的后面，和一个第二中间位相级在第一中间位相级的后面，最后位相级的前面，因此该装置为四相振荡器。

13.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述参考级还包含一个耦合到第一参考晶体管T_ref源极的电流控制，其中电流控制用于控制在一个负反馈模式中，从相晶体管和第一参考晶体管T_ref流出的总电流。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述电流控制包含一个第二参考晶体管T_ref’，其漏极耦合到第一参考晶体管的源极，栅极耦合到第一晶体管的漏极，如果第二参考晶体管T_ref’为N-沟道器件的话，源极就接地，如果第二参考晶体管T_ref’为P-沟道器件的话，源极就接一共同电压。

15.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述电流控制含有一个运算放大器。

16.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述逻辑块包含一个输入端耦合到晶体管漏极的反相器；以及一个输出端耦合到开关栅极、置位输入端耦合到反相器输出端的置位-复位闩锁。