[发明专利]参考电压调节器有效
申请号: | 201010208683.1 | 申请日: | 2010-06-18 |
公开(公告)号: | CN101930786A | 公开(公告)日: | 2010-12-29 |
发明(设计)人: | 穆罕默德·努莫;史奇·罗曼诺夫斯基 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G11C7/06 | 分类号: | G11C7/06 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 姜燕;邢雪红 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 参考 电压 调节器 | ||
1.一种参考电压调节器,用于一嵌入式动态随机随取存储器eDRAM中,使其以一参考电平进行VSS感测,包括:
一振荡器;
一控制区块;
一参考产生器;
一比较器;
一脉冲产生器;
一驱动器;以及
一参考电压输出;
其中该振荡器用以在每次对该eDRAM进行存取之间传送取样与校正请求至该控制区块,该控制区块用以传送一脉冲,该脉冲用以定义该脉冲产生器进行取样与校正的时间长度,该参考产生器用以提供该参考电平至该比较器,而该比较器将该参考电平与该参考电压输出的取样值进行比较,比较器用以决定该参考电压输出是否需要校正,并依照其决定传送一校正请求至该脉冲产生器,该脉冲产生器用以依据该比较器发出的该校正请求产生一校正脉冲至该驱动器,而该驱动器用以调整该校正脉冲期间的的参考电压输出。
2.如权利要求1所述的参考电压调节器,其中该参考电压调节器用以调整一取样校正率,使得当该参考电平与该参考电压输出间的一差值增大时提高取样校正率。
3.如权利要求2所述的参考电压调节器,其中该参考电压调节器利用该比较器中的一内部延迟以调整该取样校正率,而该内部延迟反比于该参考电平与该参考电压输出间的差值。
4.如权利要求1所述的参考电压调节器,其中该参考电压调节器也用以根据一存取而从该eDRAM中一存储器控制逻辑传送该取样与校正请求至该控制区块。
5.如权利要求4所述的参考电压调节器,其中该脉冲产生器用以产生一校正脉冲,其具有一脉宽,当该存储器控制逻辑传送该取样与校正请求时,该脉宽较长。
6.如权利要求4所述的参考电压调节器,其中该控制区块用以开启一新比较周期,以在该存取之后校正该参考电压输出。
7.如权利要求1所述的参考电压调节器,其中一差动放大器用以放大一该参考电平与该参考电压输出间的差值,并将该放大的差值传送至该比较器。
8.如权利要求1所述的参考电压调节器,其中该脉冲产生器用以重设该比较器,并在该脉冲产生器产生该校正脉冲时启动一新比较周期。
9.如权利要求1所述的参考电压调节器,其中一储能电容耦接至该参考电压输出。
10.如权利要求1所述的参考电压调节器,其中该振荡器是一温度控制振荡器,而该参考电压调节器用以在取样与校正请求传送至该控制区块前,通过一除频器从该振荡器传送该取样与校正请求。
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