[发明专利]基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器及其制备方法

权利要求书

1.基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器，所述镁锌氧化物薄膜生成于衬底材料上，且所述紫外光探测器具有生成于镁锌氧化物薄膜之上的金属薄膜叉指电极，其特征在于：所述金属薄膜叉指电极间隔地在其指电极与镁锌氧化物薄膜之间夹设有导电层。

2.根据权利要求1所述的基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器，其特征在于：所述导电层可选至少包括钼Mo、钽Ta、钛Ti、钨W、镍Ni的金属薄膜，所述导电层薄膜厚度介于1nm～100nm。

3.根据权利要求1所述的基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器，其特征在于：所述镁锌氧化物薄膜的构成为Mg_xZn_1-xO，其中0.01＜x＜0.8。

4.根据权利要求1或3所述的基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器，其特征在于：所述镁锌氧化物薄膜为与衬底材料晶格匹配的厚度介于5nm～1μm的薄膜。

5.根据权利要求1所述的基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器，其特征在于：所述金属薄膜叉指电极为厚度介于1nm～200nm的金Au或铝Al指状薄膜，所述导电层与金属薄膜叉指电极间形成欧姆接触。

6.根据权利要求1所述的基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器，其特征在于：所述衬底材料之一为硅Si衬底。

7.权利要求1所述基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器的制备方法，其特征步骤包括：

Ⅰ、预制备表面清洁、干燥的硅片；

Ⅱ、真空条件下，在硅片表面生成镁锌氧化物薄膜；

Ⅲ、在镁锌氧化物薄膜表面通过光刻法形成指宽和间距均为5μm、指长为500μm～2000μm的叉指掩模结构；

Ⅳ、采用电子束蒸发的方法在叉指掩模结构上依次沉积导电层及金属薄膜。

8.根据权利要求7所述的基于镁锌氧化物薄膜的紫外光探测器的制备方法，其特征在于：步骤Ⅱ在硅片表面生成镁锌氧化物薄膜的方法可选包括真空条件下的磁控溅射法、物理气相沉积法、电子束蒸发法、脉冲激光沉积法或分子束外延法。