[发明专利]阻变随机访问存储器件及制造方法

权利要求书

1.一种阻变随机访问存储器件，包括设置在位线和字线之间的存储单元，所述存储单元包括

阻变元件，以及

肖特基二极管，所述肖特基二极管与所述阻变元件串联连接，

其中，所述肖特基包括彼此接触的金属层和半导体层，并且金属层与半导体层之间的界面呈非平面的形状。

2.根据权利要求1所述的阻变随机访问存储器件，还包括绝缘层，其中在所述绝缘层的凹槽内形成所述存储单元，使得所述肖特基二极管的半导体层以共形的方式设置在所述凹槽的底部和侧面上。

3.根据权利要求1或2所述的阻变随机存储器件，其中至少两个存储单元在垂直方向上堆叠，并且还包括用于在垂直方向上隔离相邻的存储单元的隔离层。

4.一种制造根据权利要求1所述的阻变随机存储器件的方法，包括以下步骤：

a)在衬底上形成位线；

b)在衬底上的绝缘层中形成凹槽，在凹槽的底部露出位线的表面；

c)在凹槽中形成共形的多晶硅层；

d)在多晶硅层中掺入杂质以形成p掺杂多晶硅层；

e)在p掺杂多晶硅层上形成第一金属层；

f)在第一金属层上形成阻变材料层；

g)在阻变材料层上形成第二金属层；以及

h)在第二金属层上形成字线。

5.根据权利要求4所述的方法，在步骤h)之后还包括

g)在第二金属层上形成隔离层，

其中，重复步骤a)-h)，从而形成在垂直方向上堆叠的至少两个存储单元。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述衬底为硅衬底，所述步骤a)包括以下步骤：

a1)在硅衬底上形成氧化硅层；

a2)在氧化硅层上形成用于字线的金属层；以及

a3)对金属层进行图案化以形成位线。

7.根据权利要求4或5所述的方法，其中所述步骤b)包括以下步骤：

b1)在衬底上形成绝缘层，所述绝缘层覆盖位线；

b2)对绝缘层进行图案化，以形成所述凹槽。

8.根据权利要求4或5所述的方法，其中在所述步骤d)中采用的掺杂剂为硼或氟化硼。

9.根据权利要求4或5所述的方法，其中在所述步骤d)中还包括对p掺杂多晶硅层进行退火以激活掺杂剂。

10.根据权利要求4或5所述的方法，在所述步骤g)和h)之间还包括平整半导体结构的表面，以去除位于所述凹槽外部的导电材料。