[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底之上形成栅电极；

在栅电极之上形成绝缘膜；

在栅电极之上形成氧化物半导体膜，所述绝缘膜夹在氧化物半导 体膜和栅电极之间；

以250℃至570℃的温度加热氧化物半导体膜；以及

在加热氧化物半导体膜之后对氧化物半导体膜进行图形化。

2.根据权利要求1的方法，其中所述氧化物半导体膜具有相同数 量的负电荷和正电荷。

3.根据权利要求1的方法，其中所述氧化物半导体膜添加有赋予 p型的杂质。

4.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤进行1分钟到1小时。

5.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤通过使用灯进行。

6.如权利要求1所述的方法，其中氧化物半导体膜的一部分通过 加热而结晶。

7.如权利要求1所述的方法，其中绝缘膜通过利用氩气和氧气进 行溅射而形成，并且氧化物半导体膜通过利用氩气和氧气进行溅射而 形成。

8.如权利要求1所述的方法，其中氧化物半导体膜包括基于 In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

9.如权利要求1所述的方法，其中在含氧的气氛中加热氧化物半 导体膜。

10.如权利要求1所述的方法，其中栅电极包括选自钽、钨、钛、 钼、铬、以及铌中的一种。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过溅射在氧化物半导体膜上形成钝化膜。

12.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤包括预加热状态和 主加热状态。

13.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤通过快速退火进行。

14.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底之上形成栅电极；

在栅电极之上形成第一绝缘膜；

在第一绝缘膜之上形成第二绝缘膜；

在栅电极之上形成氧化物半导体膜，所述第一和第二绝缘膜夹在 氧化物半导体膜和栅电极之间；

以250℃至570℃的温度加热氧化物半导体膜；以及

通过溅射在氧化物半导体膜上形成钝化膜。

15.根据权利要求14的方法，其中所述氧化物半导体膜具有相同 数量的负电荷和正电荷。

16.根据权利要求14的方法，其中所述氧化物半导体膜添加有赋 予p型的杂质。

17.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤进行1分钟到1小 时。

18.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤通过使用灯进行。

19.如权利要求14所述的方法，其中氧化物半导体膜的一部分通 过加热而结晶。

20.如权利要求14所述的方法，其中氧化物半导体膜通过利用氩 气和氧气进行溅射而形成。

21.如权利要求14所述的方法，其中氧化物半导体膜包括基于 In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

22.如权利要求14所述的方法，其中在含氧的气氛中加热氧化物 半导体膜。

23.如权利要求14所述的方法，其中栅电极包括选自钽、钨、钛、 钼、铬、以及铌中的一种。

24.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤包括预加热状态和 主加热状态。

25.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤通过快速退火进行。

26.如权利要求14所述的方法，其中第一绝缘膜通过利用氩气和 氧气进行溅射而形成，并且第二绝缘膜通过利用氩气和氧气进行溅射 而形成。