[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底之上形成氧化物半导体膜；

对氧化物半导体膜进行图形化；以及

以250℃或更高的温度加热图形化的氧化物半导体膜。

2.根据权利要求1的方法，其中所述氧化物半导体膜包括本征半导体或实质上本征的半导体。

3.根据权利要求2的方法，其中所述本征半导体具有相同数量的负电荷和正电荷。

4.根据权利要求2的方法，其中所述本征半导体或所述实质上本征的半导体添加有赋予p型的杂质。

5.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤进行1分钟到1小时。

6.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤通过使用灯进行。

7.如权利要求1所述的方法，其中图形化的氧化物半导体膜的一部分通过加热而结晶。

8.如权利要求1所述的方法，其中氧化物半导体膜通过利用氩气和氧气进行溅射而形成。

9.如权利要求1所述的方法，其中氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

10.如权利要求1所述的方法，其中在含氧的气氛中加热图形化的氧化物半导体膜。

11.如权利要求1所述的方法，还包括：

通过溅射在图形化的氧化物半导体膜上形成钝化膜。

12.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤包括预加热状态和主加热状态。

13.如权利要求1所述的方法，其中加热步骤通过快速退火进行。

14.一种半导体器件的制造方法，包括如下步骤：

在衬底之上形成栅电极；

在栅电极之上形成第一绝缘膜；

在第一绝缘膜之上形成第二绝缘膜；

在栅电极之上形成氧化物半导体膜，所述第一和第二绝缘膜夹在氧化物半导体膜和栅电极之间；

对氧化物半导体膜进行图形化；以及

以250℃或更高的温度加热图形化的氧化物半导体膜。

15.根据权利要求14的方法，其中所述氧化物半导体膜包括本征半导体或实质上本征的半导体。

16.根据权利要求15的方法，其中所述本征半导体具有相同数量的负电荷和正电荷。

17.根据权利要求15的方法，其中所述本征半导体或所述实质上本征的半导体添加有赋予p型的杂质。

18.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤进行1分钟到1小时。

19.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤通过使用灯进行。

20.如权利要求14所述的方法，其中图形化的氧化物半导体膜的一部分通过加热而结晶。

21.如权利要求14所述的方法，其中氧化物半导体膜通过利用氩气和氧气进行溅射而形成。

22.如权利要求14所述的方法，其中氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

23.如权利要求14所述的方法，其中在含氧的气氛中加热图形化的氧化物半导体膜。

24.如权利要求14所述的方法，其中栅电极包括选自钽、钨、钛、钼、铬、以及铌中的一种。

25.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤包括预加热状态和主加热状态。

26.如权利要求14所述的方法，其中加热步骤通过快速退火进行。

27.如权利要求14所述的方法，其中第一绝缘膜通过利用氩气和氧气进行溅射而形成，并且第二绝缘膜通过利用氩气和氧气进行溅射而形成。

28.如权利要求14所述的方法，还包括：

通过溅射在图形化的氧化物半导体膜之上形成钝化膜。