[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极；

邻近栅极的栅绝缘膜；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，其中栅绝缘膜在氧化物半导体层和栅极之间，所述氧化物半导体层包括铟；以及

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物，

其中沟道区实质上是本征的。

2.一种半导体器件，包括：

栅极；

邻近栅极的栅绝缘膜；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，其中栅绝缘膜在氧化物半导体层和栅极之间，所述氧化物半导体层包括铟；

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物；以及

电连接到源极和漏极的其中之一的像素电极，

其中沟道区实质上是本征的。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中氧化物半导体层包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

4.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中栅极包括选自钽、钨、钛、钼、铬和铌中的一种。

5.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中氧化物半导体层的沟道区具有相等数量的负电荷和正电荷。

6.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中氧化物半导体层的沟道区添加有赋予p型导电性的杂质。

7.如权利要求1或2所述的半导体器件，其中金属选自包括铝Al、钨W、钼Mo、锆Zr、铪Hf、钒V、铌Nb、钽Ta、铜Cu、铬Cr、钴Co、镍Ni、铂Pt、钛Ti或钕Nd的组。

8.如权利要求1或2所述半导体器件，其中金属是钛，金属氮化物是氮化钛。

9.一种显示器件，包括：

衬底上方的扫描线；

衬底上方的信号线；

衬底上方的第一晶体管，所述第一晶体管电连接到扫描线和信号线；

电连接到第一晶体管的像素电极；

通过扫描线和信号线的其中之一电连接到第一晶体管的驱动电路，所述驱动电路包括衬底上方的第二晶体管，

其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个包括栅极、邻近栅极的栅绝缘膜、氧化物半导体层、源极和漏极，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，其中栅绝缘膜在氧化物半导体层和栅极之间，所述源极和漏极与氧化物半导体层直接接触，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物，

其中所述氧化物半导体层包括铟并且其中沟道区实质上是本征的。

10.如权利要求9所述的显示器件，其中氧化物半导体层包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

11.如权利要求9所述的显示器件，其中栅极包括选自钽、钨、钛、钼、铬和铌中的一种。

12.如权利要求9所述的显示器件，其中氧化物半导体层的沟道区具有相等数量的负电荷和正电荷。

13.如权利要求9所述的显示器件，其中氧化物半导体层的沟道区添加有赋予p型导电性的杂质。

14.如权利要求9所述的显示器件，其中金属选自包括铝Al、钨W、钼Mo、锆Zr、铪Hf、钒V、铌Nb、钽Ta、铜Cu、铬Cr、钴Co、镍Ni、铂Pt、钛Ti或钕Nd的组。

15.如权利要求9所述显示器件，其中金属是钛，金属氮化物是氮化钛。

16.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在衬底上方形成栅极；

在栅极上方形成绝缘膜；

在栅极上方形成包括铟的氧化物半导体膜，其中绝缘膜置于氧化物半导体膜和栅极之间；

图案化氧化物半导体膜；以及

加热图案化的氧化物半导体膜。

17.如权利要求16所述的方法，其中氧化物半导体膜包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

18.如权利要求16或17所述的方法，其中氧化物半导体膜实质上是本征的。

19.如权利要求18所述的方法，其中氧化物半导体膜具有相等数量的负电荷和正电荷。

20.如权利要求18所述的方法，其中氧化物半导体膜添加有赋予p型导电性的杂质。